[发明专利]用于避免污染的定向的极紫外集光器

说明书

本发明涉及一种具有定向的集光器反射镜的极紫外(EUV)辐射源以减少由燃料液滴碎片产生的污染。在一些实施例中，EUV辐射源具有向EUV源容器提供多个燃料液滴的燃料液滴发生器。主激光器配置为产生指向多个燃料液滴的主激光束。主激光束具有足够的能量以点燃来自多个燃料液滴的等离子体，等离子体发射出极紫外辐射。使配置为将极紫外辐射聚焦至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜定向，以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。本发明实施例涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。

技术领域

本发明实施例涉及用于避免污染的定向的极紫外集光器，具体地涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。

背景技术

光刻是一种通过用光辐射具有图案的光掩模以将图案转印至半导体衬底上面的光敏材料上。在半导体工业的历史上，通过减小光刻辐射源的曝光波长已经实现了较小的集成芯片最小的部件尺寸，从而提高了光刻分辨率。使用具有10nm和130nm之间的曝光波长的极紫外(EUV)光的极紫外(EUV)光刻是用于新兴技术节点(例如22nm、14nm、10nm等)的前景光明的新一代光刻解决方案。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种EUV辐射源，包括：锡液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个锡液滴；二氧化碳(CO₂)激光器，配置为产生主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个锡液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，所述集光器反射镜具有顶点，所述集光器反射镜位于横向邻近所述多个锡液滴和所述主激光束的交叉点并且垂直地位于所述交叉点之上的位置处。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种产生极紫外(EUV)辐射的方法，包括：提供多个燃料液滴至EUV源容器内；用主激光束轰击所述多个燃料液滴以产生发射EUV辐射的等离子体；以及使用定向的集光器反射镜在焦点处聚焦所述EUV辐射，其中所述集光器反射镜被定向为使得从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1示出了具有为减少燃料液滴碎片(fuel droplet debris)污染而定向的集光器反射镜(collector mirror)的极紫外(EUV)辐射源的一些实施例的框图。

图2示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV辐射源的一些额外的实施例。

图3示出了具有预脉冲激光器的EUV辐射源的一些额外的实施例的框图。

图4A至图4B示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV辐射源的一些可选实施例的框图。

图5示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV光刻系统的一些实施例的框图。

图6示出了EUV光刻系统的一些额外的实施例的框图。