[发明专利]半导体装置与其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成一第一沟渠、一第二沟渠及一第三沟渠于一基板上的一层，该第三沟渠相较于该第一沟渠及该第二沟渠有较大的一横向间距；

部分填入一第一导电材料于该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠中；

覆盖一第一抗反射材料于该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠之上，其中该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠已部分填入该第一导电材料，且该第一抗反射材料有一第一表面形貌变化；

执行一第一回蚀刻制程以部分移除该第一抗反射材料；

覆盖一第二抗反射材料于该第一抗反射材料之上，该第二抗反射材料有一小于该第一表面形貌变化的一第二表面形貌变化；

执行一第二回蚀刻制程以至少部分移除该第二抗反射材料于该第一沟渠及该第二沟渠之中；以及

部分移除该第一沟渠及该第二沟渠中的该第一导电材料。

2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，形成该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠以使得该第三沟渠的该横向间距至少是该第一沟渠的一横向间距或该第二沟渠的一横向间距的三倍。

3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，形成该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠以使得该第一沟渠的该横向间距相等于该第二沟渠的该横向间距。

4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，形成该第一抗反射材料的覆盖以使得该第一表面形貌变化是由于一负载效应而产生的，而且其中根据该第一表面形貌变化；

沉积于该第一沟渠的该第一抗反射材料的一第一部分高于沉积于该第二沟渠的该第一抗反射材料的一第二部分；以及

该第一抗反射材料的该第二部分高于沉积于该第三沟渠的该第一抗反射材料的一第三部分。

5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，该第二抗反射材料与该第一抗反射材料具有相同的材料组成。

6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在执行该第二回蚀刻制程之前形成一光阻覆盖于沉积在该第三沟渠的部分的该第二抗反射材料，且执行该第二回蚀刻制程包含移除未被该光阻所覆盖的部分的该第二抗反射材料。

7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在部分移除该第一导电材料之后：

该第一导电材料的一第一部分位于该第一沟渠内且具有一第一高度；

该第一导电材料的一第二部分位于该第二沟渠内且具有一第二高度；以及该第一高度与该第二高度之间的差别为该第一高度或该第二高度的特定百分比。

8.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在部分移除该第一导电材料之后：

完全移除该第二抗反射材料；以及

以一第二导电材料填满该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠。

9.根据权利要求8所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

以一工作功能金属层作为该第一导电材料部分填入于该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠中，该工作功能金属层配置以协调一晶体管的栅极的工作功能；以及

以一填入金属作为该第二导电材料填满该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠，该填入金属作为晶体管中栅极的主要导电部分。

10.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在形成该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠之前：

形成一第一假性栅极、一第二假性栅极及一第三假性栅极，其中分别移除该第一假性栅极、该第二假性栅极及该第三假性栅极以分别形成该第一沟渠、该第二沟渠及该第三沟渠。