[发明专利]具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其包括：

第一多个光电二极管，其布置于半导体衬底中；

第二多个光电二极管，其布置于所述半导体衬底中，其中所述第一及第二多个光电二极管在所述半导体衬底中彼此穿插其中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；

金属膜层，其安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方以进一步降低所述第二多个光电二极管对被引导通过所述金属膜层且到所述第二多个光电二极管的所述入射光的光敏感度，其中所述金属膜层未安置于所述第一多个光电二极管上方；及

金属栅格，其安置于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，且接着通过所述表面到所述第一多个光电二极管中，其中所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属栅格，且接着通过所述金属膜层及所述表面到所述第二多个光电二极管中。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括安置于所述金属栅格、所述金属层及所述半导体衬底的所述表面上方的钝化层。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括铝。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括钨。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括钛。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属膜层包括氮化钛。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述入射光通过所述金属膜层的透射率响应于所述金属膜层的厚度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属栅格包括铝。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属栅格包括氮化钛。

10.一种制造图像传感器的方法，其包括：

将第一多个光电二极管布置于半导体衬底中；

将第二多个光电二极管穿插于所述半导体衬底中的所述第一多个光电二极管当中，其中入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中，其中相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度；

将金属膜层提供于在所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方且并未将其提供于所述第一多个光电二极管上方；以及

将金属栅格提供于所述半导体衬底的所述表面上方，其中所述金属栅格包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导通过金属栅格，且接着通过所述表面到所述第一多个光电二极管中，其中所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属栅格，且接着通过所述金属膜层及所述表面到所述第二多个光电二极管中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述将所述金属膜层提供于在所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方且并未将其提供于所述第一多个光电二极管上方包括：

将所述金属膜层沉积于在所述第一及第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的整个表面上方；以及

图案化所述金属膜层以将所述金属膜层仅留在所述第二多个光电二极管上方。