[发明专利]非易失性存储器阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器阵列，其特征在于，所述非易失性存储器阵列包括：

基底；

多条位线，位于所述基底中，其中相邻两条所述位线之间由第一区与第二区所组成；

图案化堆叠结构，位于所述第一区的所述基底上，其中所述图案化堆叠结构至少包括电荷捕捉层以及穿隧介电层；

多个隔离结构，位于所述多条位线上，以所述图案化堆叠结构为掩膜形成；

氧化层，位于所述图案化堆叠结构与所述第二区的所述基底上；以及

多条字元线，位于所述氧化层上并横跨所述多条位线上的所述多个隔离结构。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述多个隔离结构包括浅沟渠隔离结构或场氧化层结构。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述多个隔离结构的材料包括氧化物。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述穿隧介电层的材料包括氧化物。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述电荷捕捉层的材料包括氮化物。

6.根据权利要求1项所述的非易失性存储器阵列，其特征在于，所述多条字元线的材料包括复晶硅。

7.一种非易失性存储器阵列的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

于基底上形成图案化堆叠结构，露出部分所述基底，其中所述图案化堆叠结构包括电荷捕捉层以及穿隧介电层；

以所述图案化堆叠结构为掩膜，于露出的所述基底中形成多条位线，其中相邻两条所述位线之间由第一区与第二区所组成；

于所述多条位线的每一条上形成隔离结构；

移除位于所述第二区的所述图案化堆叠结构，以暴露所述第二区的所述基底；

于所述基底与所述图案化堆叠结构上形成氧化层；以及

于所述氧化层上形成横跨所述多条位线的多条字元线。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述图案化堆叠结构的方法包括：

于所述基底上形成穿隧介电层；

于所述穿隧介电层上形成电荷捕捉层；以及

图案化所述电荷捕捉层与所述穿隧介电层。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述氧化层的方法包括热氧化法。