[发明专利]形成纳米结构的方法、半导体器件制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种形成纳米结构的方法，所述方法包括：

形成具有晶体结构的绝缘层；以及

在所述绝缘层上直接生长至少一个半导体纳米结构，其中所述纳米结构包括包含硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种的纳米线，

所述绝缘层包括包含六方氮化硼(h-BN)的绝缘2D材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层形成在催化剂金属层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述催化剂金属层包括铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、铂(Pt)和钌(Ru)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线通过使用蒸发工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线在340℃至420℃的沉积基板温度形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线通过执行10分钟至30分钟的沉积工艺而形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中多个纳米线在所述绝缘层上形成网状结构。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成具有晶体结构的绝缘层；

在所述绝缘层上直接生长至少一个半导体纳米结构，其中所述半导体纳米结构包括包含硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种的纳米线，所述绝缘层包括包含六方氮化硼(h-BN)的绝缘2D材料；以及

形成包括所述半导体纳米结构的器件单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘层形成在催化剂金属层上，以及

所述催化剂金属层包括铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、铂(Pt)和钌(Ru)中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述纳米线通过在340℃至420℃的沉积基板温度的蒸发工艺形成。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在催化剂金属层上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述纳米线；

将其上形成有所述绝缘层和所述纳米线的所述催化剂金属层附接到基板的表面；以及

在所述基板上形成包括所述纳米线的所述器件单元。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在催化剂金属层上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述纳米线；

从所述绝缘层去除所述催化剂金属层；

将其上形成有所述纳米线的所述绝缘层附接到基板的表面；以及

在所述基板上形成包括所述纳米线的所述器件单元。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在基板上形成催化剂金属层；

在所述催化剂金属层上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述纳米线；以及

形成包括所述纳米线的所述器件单元。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：

通过转移工艺在基板上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层上形成所述纳米线；以及

形成包括所述纳米线的所述器件单元。

15.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述器件单元包括：

形成接触所述纳米线的第一端部分的第一电极；以及

形成接触所述纳米线的第二端部分的第二电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述器件单元还包括形成用于施加电场到所述纳米线的栅极。