[发明专利]检测基因P53的比率电化学DNA传感器修饰电极及其制备方法

权利要求书

1.一种用于检测P53基因的探针，其特征是：由一条单链DNA辅助探针S1和一条单链DNA捕获探针S2组成，所述S1的DNA链序列为：5’-Fc-CTC TCA GTG ATT TTT TTA GTG AGA GAG-(CH₂)₆-SH-3’，所述S2的DNA链序列为：5’-MB-TCA CTG AGT CTT CCA GTG TGA TGA TCA CT-3’。

2.权利要求1所述用于检测P53基因的探针在制备检测P53基因的修饰电极中的应用。

3.一种用于检测P53基因的修饰电极的制备方法，其特征是：步骤如下：

（1）辅助探针S1在含有三(2-羧乙基)膦的Tris-HCl缓冲液中加热，退火获得单链辅助探针S1的Tris-HCl缓冲液；

（2）将打磨、清洗干燥后的金电极浸在步骤（1）得到的辅助探针S1的Tris-HCl缓冲液中，通过自组装的方式将辅助探针S1修饰到金电极表面，得到S1/GE修饰电极；

（3）将步骤（2）所得电极浸在捕获探针S2的Tris-HCl缓冲液，加热，使捕获探针S2与辅助探针S1结合，在金电极表面形成双发夹结构，得到S2/S1/GE修饰电极；

所述步骤（1）中含有三(2-羧乙基)膦的Tris-HCl缓冲液为含有110-150mM的三羟甲基氨基甲烷，100-120mM的NaCl，1-10mM的MgCl₂，9-11mM的三(2-羧乙基)膦的混合液，pH为7.4-7.8；所述S1与S2如权利要求1中所述。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤（1）中加热具体为：90℃水浴加热4-6分钟。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤（2）中打磨、清洗干燥的具体步骤为：将金电极用氧化铝粉末打磨抛光成镜面，再分别经乙醇、二次蒸馏水超声清洗20-60s，氮气干燥，得到清洁金电极。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤（2）中将辅助探针S1修饰到金电极表面的条件为：反应温度为22-25℃， 反应时间为10-24小时，辅助探针S1缓冲液的浓度为40-50mM。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤（3）中加热具体为：35-37℃水浴加热1-3小时，所述捕获探针S2的浓度为35-50mM。

8.权利要求3-7任一所述的制备方法制备得到的修饰电极在制备用于检测P53基因的电化学传感器中的应用。

9.一种检测肿瘤抑制基因p53的方法，其特征是：步骤如下：

（1）将S2/S1/GE修饰电极在Tris-HCl缓冲液中水浴加热后，与甘汞参比电极和铂丝对电极构成三电极系统，在Tris-HCl缓冲液中进行DPV检测，得到亚甲基蓝的峰电流I_0（MB），二茂铁的峰电流为I_0（Fc）；

（2）将S2/S1/GE修饰电极与不同浓度的P53基因缓冲液在加热的条件下进行识别后用Tris-HCl缓冲液冲洗，之后与甘汞参比电极和铂丝对比电极构成三电极系统，在Tris-HCl缓冲液中进行DPV检测，以得到的二茂铁峰电流比亚甲基蓝的峰电流的值：I=I_Fc/I_MB；以I对P53基因浓度的对数做线性回归方程，得工作曲线；

（3）在对实际样品进行检测时，采用同样方法对待测样品中的P53基因进行DPV检测，求得二茂铁峰电流对亚甲基蓝峰电流的比值，后代入线性回归方程即得样品中P53基因的浓度；

所述步骤（1）、（2）中的S2/S1/GE修饰电极为由权利要求3-7任一所述的制备方法制备得到。

10.如权利要求9所述的方法，其特征是：所述步骤（1）、（2）中，Tris-HCl缓冲液为含有110-150mM的Tris-HCl，100-120mM的NaCl，1-10mM的MgCl₂的混合液，其pH为7.4-7.8。

11.如权利要求9所述的方法，其特征是：所述步骤（1）中，水浴加热时间为15-30分钟。