[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、横跨所述鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极、以及位于所述栅极侧壁上的侧墙，所述栅极和所述侧墙构成栅极结构，所述基底中还形成有位于所述栅极结构之间基底上的第一介质层；

在所述第一介质层中形成露出所述栅极结构的凹槽；

在所述凹槽的底部和侧壁上形成保护层，沿所述凹槽侧壁指向所述凹槽底部的方向上保护层的厚度逐渐减小；在所述凹槽底部和侧壁上形成保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述凹槽底部和侧壁以及所述第一介质层顶部的保护膜；去除高于所述第一介质层顶部的保护膜，形成保护层；对所述保护层进行表面处理，使位于所述凹槽侧壁上的保护层沿所述凹槽侧壁指向所述凹槽底部的方向上，厚度逐渐减小；

形成覆盖所述保护层和第一介质层的第二介质层；

刻蚀所述第一介质层和第二介质层，形成贯穿所述第一介质层和第二介质层并暴露出部分所述鳍部的接触孔；

在所述接触孔中形成接触孔插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅，所述保护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为第一氧化硅，所述保护层的材料为第二氧化硅，所述第二氧化硅的致密度大于所述第一氧化硅的致密度。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的深度为至

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽侧壁上保护层的厚度大于所述凹槽底部保护层的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述保护膜之后，且在对所述保护层进行表面处理之前，还包括：

形成填充满所述凹槽的牺牲膜，所述牺牲膜还覆盖所述保护膜顶部；

去除高于所述第一介质层顶部的保护膜和牺牲膜，形成位于所述凹槽底部和侧壁的保护层，以及覆盖所述保护层并填充满所述凹槽的牺牲层；

去除所述牺牲层。

7.如权利要求1或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹槽底部和侧壁上形成保护层后，对所述保护层进行表面处理之前，所述保护层的厚度在至的范围内。

8.如权利要求1或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护膜的工艺为原子层沉积工艺。

9.如权利要求1或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述保护层进行表面处理的工艺为干法刻蚀工艺，湿法刻蚀工艺，或干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面处理为等离子体干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀气体为CH₃F、CH₂F₂和CHF₃中的一种或多种，刻蚀气体的气体流量为5sccm至2000sccm，压强为1mTorr至5Torr。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳、氧化硅或有机介电层。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为湿法刻蚀工艺。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀溶液为氢氟酸。