[发明专利]重试读取方法以及使用该方法的装置

说明书

本发明的实施例提出一种重试读取方法，由处理单元执行，包含以下步骤。于系统开机时，产生重试读取操作的微码及储存重试读取操作的微码至指令缓存器。于系统开机后，从主装置接收到重试读取命令；以及驱动状态机，用以执行指令缓存器中的重试读取操作的微码。

【技术领域】

本发明关连于一种快闪存储器装置，特别是一种重试读取方法以及使用该方法的装置。

【背景技术】

快闪存储器装置通常分为NOR快闪装置与NAND快闪装置。NOR快闪装置为随机存取装置，而可于地址脚位上提供任何的地址，用以存取NOR快闪装置的主装置(host)，并及时地由NOR快闪装置的数据脚位上获得储存于该地址上的数据。相反地，NAND快闪装置并非随机存取，而是序列存取。NAND快闪装置无法像NOR快闪装置一样，可以存取任何随机地址，主装置反而需要写入序列的比特组(bytes)的值到NAND快闪装置中，用以定义请求命令(command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(在快闪存储器中的一个写入操作的最小数据块)或一个区块(在快闪存储器中的一个抹除操作的最小数据块)。实际上，NAND快闪装置通常从存储器单元(memory cells)上读取或写入完整的数页数据。当一整页的数据从阵列读取到装置中的缓存器(buffer)后，借由使用提取信号(strobe signal)顺序地敲出(clock out)内容，让主单元可逐比特组或字元组(words)存取数据。

NAND快闪装置的体积越来越小，而数据保留、数据干扰等因素会造成越来越难正确读取数据。数据重试基本上为一个试误回圈(trial-and-error loop)，控制器从预设数据表中的第一到最后一个设定尝试不同阀值电压(threshold voltage)，直到原始比特的错误数目低于错 误检查校正能力并回复正确的数据。当NAND快闪装置老化，预先设定的阀值电压不足以正确读取数据，且会越来越频繁的进行重试读取，造成效能降低。因此，本发明提出一种重试读取方法以及使用该方法的装置，用以提升重试读取的效率。

【发明内容】

本发明的实施例提出一种重试读取方法，由处理单元执行，包含以下步骤。于系统开机时，产生重试读取操作的微码及储存重试读取操作的微码至指令缓存器。于系统开机后，从主装置接收到重试读取命令；以及驱动状态机，用以执行指令缓存器中的重试读取操作的微码。

本发明的实施例提出一种重试读取装置，包含指令缓存器、状态机及处理单元。处理单元耦接指令缓存器及状态机，并且于系统开机时，产生重试读取操作的微码及储存重试读取操作的微码至指令缓存器。于系统开机后，处理单元从主装置接收到重试读取命令；以及驱动状态机，用以执行指令缓存器中的重试读取操作的微码。

【附图说明】

图1是依据本发明实施例的快闪存储器的系统架构示意图。

图2是依据本发明实施例的存取接口与储存单元的方块图。

图3是依据本发明实施例的一个存取子接口与多个储存子单元的连接示意图。

图4是依据本发明实施例的重试参数的储存示意图。

图5是依据本发明实施例的产生微码的方法流程图。

图6是依据本发明实施例的重试读取方法流程图。

【符号说明】

10 系统；

110 处理单元；

120 状态机；

130 错误检查修正单元；

141 非挥发性存储器；

143 指令缓存器；

145 先进先出缓存器；

147 数据缓存器；