[发明专利]电流检测电路

说明书

一个实施方式的电流检测电路，具有：感测节点，其流过与流过第1布线的第1电流对应的第2电流；电荷蓄积元件，其使一端与感测节点连接并蓄积电荷；电位检测部，其检测感测节点的电位；放电电路，其根据电位检测部的检测结果，使所述感测节点放电；以及计数器，其对放电电路的放电工作的次数进行计数。

技术领域

以下所述的实施方式涉及电流检测电路。

背景技术

半导体存储装置等半导体装置具有用于检测流过其内部的电流的电流检测电路。而且，不仅要求将该电流与基准值进行比较而得到大小关系(“H”或“L”)，有时还要求准确地读出该电流来作为电流值。但是，在测定微小电流的电流值的情况下，需要检测微小的电位差，需要抑制进行检测的各个放大器的偏差，因此，需要增大电流检测电路中的放大器的尺寸。另一方面，放大器的尺寸变大，会使得芯片面积变大或功耗增大。

发明内容

本发明的实施方式提供能够高精度地测定电流且专用面积小的电流检测电路。

实施方式的电流检测电路具有：感测节点，其流过与流过第1布线的第1电流对应的第2电流；电荷蓄积元件，其使一端与感测节点连接并蓄积电荷；电位检测部，其检测感测节点的电位；放电电路，其根据电位检测部的检测结果，使所述感测节点放电；以及计数器，其对放电电路的放电工作的次数进行计数。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体存储装置(电阻变化存储器)的框图的一例。

图2是存储器单元阵列11的等效电路图。

图3是示出存储器单元阵列11的层叠结构的立体图一例。

图4是图3的剖视图的一例。

图5是图3的顶视图的一例。

图6A是示出感测放大器电路14的概略结构的电路图。

图6B是说明图6A的感测放大器电路的工作的概略图。

图7是示出感测放大器电路14的详细结构例的电路图。

图8～图11是示出计数器145的结构例的框图。

图12是示出图7的感测放大器电路14的工作的时序图。

图13是说明第2实施方式的半导体存储装置的结构的电路图。

图14～图17是说明第3实施方式的半导体存储装置的结构的图。

图18是说明第3实施方式的半导体存储装置的工作的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式的半导体存储装置进行说明。

[第1实施方式]

[结构]

首先，对第1实施方式的半导体存储装置的整体结构进行说明。图1是第1实施方式的半导体存储装置(电阻变化存储器)的框图的一例。如图1所示，半导体存储装置具有存储器单元阵列11、行译码器12、列译码器13、感测放大器14、电源16和控制电路15。

存储器单元阵列11具有彼此交叉的多条字线WL、多条位线BL以及配置在这各个交叉部的存储器单元MC。行译码器12在进行存取(数据擦除/写入/读出)时，选择字线WL。列译码器13包含驱动器，在进行存取时，所述驱动器选择位线BL并控制存取工作。

感测放大器电路14是电流检测电路的一例，对流过位线BL的单元电流的值进行AD转换，基于该电流值来判定存储器单元MC的保持数据。