[发明专利]采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法

权利要求书

1.采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：在SiC所需形成欧姆接触的部位进行离子注入；

步骤二：在所述SiC晶圆表面淀积欧姆接触金属；

步骤三：采用激光对欧姆接触金属进行辐照以制备欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤一所述的SiC材料，晶型可以是4H-SiC，也可以是6H-SiC。

3.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤一中所需形成欧姆接触的部位掺杂类型可以是n型掺杂，也可以是P型掺杂。

4.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤一所注入离子形成的掺杂类型与原有的掺杂类型相同。

5.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤一所述离子注入后形成的重掺杂区深度范围为0.01-1μm，重掺杂区浓度范围为1E17cm^-3-5E21cm^-3。

6.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤二中所述的欧姆接触金属可以是Ti、Ni、Pt、TiW、Si、TiN、Al、Ag、Cu、W金属中的一种或者几种，其生长方法可以是溅射、蒸发或淀积。

7.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤三中所述的激光辐照方法中所采用的激光器可以是激光器脉宽范围可以是微妙、纳、皮秒、飞秒激光器，激光的波长范围为100nm-1mm。

8.根据权利要求1所述的采用离子注入增强激光退火制备碳化硅欧姆接触的方法，其特征在于，所述步骤三中激光扫描方式可以是单脉冲扫描，也可以是多脉冲扫描。