[发明专利]具有内场板结构与P型栅结合的耐压漂移区的半导体器件在审
| 申请号： | 201610796375.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106409911A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;张海宇;邢文超;于博伟 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/40 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 内场 板结 结合 耐压 漂移 半导体器件 | ||
【说明书】：
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