[发明专利]具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管在审
| 申请号： | 201610794935.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106356402A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 苏柳青;薛云峰;郝雪东;田振兴;王斌 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/45;H01L29/861 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 al si3n4 ti ni ag 结构 恢复 二极管 | ||
【说明书】：
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