[发明专利]辐射检测器及其制造方法

权利要求书

1.一种辐射检测器，其特征在于，具有多个像素，所述辐射检测器包括：

基底；

基底上的薄膜晶体管；

闪烁层，其位于薄膜晶体管的远离基底的一侧，用于将辐射转换成光；以及

光电传感器，其位于薄膜晶体管的远离基底且靠近闪烁层的一侧，用于将光转换成电荷；光电传感器和薄膜晶体管处于垂直堆叠的多层结构中的两个不同的垂直堆叠的层中；光电传感器包括与闪烁层光学耦合的光电转换层；所述光电转换层包括钙钛矿材料；

所述辐射检测器还包括绝缘层，其位于光电转换层的靠近薄膜晶体管的一侧；光电传感器、薄膜晶体管和绝缘层处于垂直堆叠多层结构中的三个不同的垂直堆叠的层中，使得所述光电传感器和所述薄膜晶体管在垂直基底方向上被绝缘层在空间间隔开；

所述光电转换层的面积与一个像素的面积实质上相同。

2.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，光电传感器还包括与光电转换层耦接的驱动电极和感测电极；感测电极电连接至薄膜晶体管的漏极。

3.如权利要求2所述的辐射检测器，其特征在于，感测电极通过绝缘层中的过孔电连接至漏极。

4.如权利要求2所述的辐射检测器，其特征在于，感测电极位于绝缘层的远离薄膜晶体管的一侧，以及光电传感器还包括位于感测电极的靠近光电转换层的一侧上的电介质层。

5.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，在基底的俯视图中，光电转换层在基底上的投影与薄膜晶体管在基底上的投影重叠。

6.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，光电转换层构造为接收闪烁层所转换的实质上所有的光。

7.如权利要求4所述的辐射检测器，其特征在于，驱动电极和感测电极处于同一层。

8.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，还包括钝化层，其位于闪烁层的靠近光电转换层的一侧。

9.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，钙钛矿材料包括CH₃NH₃PbI₃。

10.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，基底为柔性基底。

11.如权利要求1所述的辐射检测器，其特征在于，辐射检测器为x射线检测器。

12.一种制备辐射检测器的方法，其特征在于，该辐射检测器包括多个像素并且具有垂直堆叠的多层结构，所述方法包括：

在基底上形成薄膜晶体管；

形成光电传感器，光电传感器和薄膜晶体管形成在垂直堆叠的多层结构中的两个不同的垂直堆叠的层中；其中形成光电传感器的步骤包括在薄膜晶体管的远离基底的一侧上形成光电转换层；以及

在光电转换层的远离薄膜晶体管的一侧上形成闪烁层；

所述方法还包括在光电转换层的靠近薄膜晶体管的一侧上形成绝缘层；光电传感器、薄膜晶体管和绝缘层形成在垂直堆叠的多层结构中的三个不同的垂直堆叠的层中。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成光电传感器的步骤还包括：形成驱动电极和感测电极；将驱动电极和感测电极电连接至光电转换层；以及将感测电极电连接至薄膜晶体管的漏极。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，将感测电极电连接至薄膜晶体管的漏极的步骤包括：在绝缘层中形成过孔；以及通过该过孔将感测电极电连接至薄膜晶体管的漏极。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，感测电极形成在绝缘层的远离薄膜晶体管的一侧；所述方法还包括在感测电极的靠近光电转换层的一侧形成电介质层。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，形成光电转换层的步骤是通过旋涂钙钛矿材料进行的。