[发明专利]发光二极管与其制作方法有效
| 申请号: | 201610789116.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN106129202B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
| 发明(设计)人: | 陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
| 地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 穿透位错 第一型半导体层 电流控制结构 发光二极管 主动层 第二型半导体层 电流注入区域 第一区 垂直投影 发光效率 制作 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美科米尚技术有限公司,未经美科米尚技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610789116.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于起重机的三维坐标定位系统
- 下一篇:光纤激光器





