[发明专利]目标图形的修正方法有效
申请号: | 201610788930.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN107797375B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 杜杳隽;李亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标 图形 修正 方法 | ||
1.一种目标图形的修正方法,其特征在于,包括:
提供目标图形,将所述目标图形的轮廓分割为多个边缘;
对所述目标图形进行光学邻近修正,获取掩模版图形;
对所述掩模板图形进行光学模拟,获得模拟曝光图形,检测所述模拟曝光图形上是否存在弱点,其中检测所述模拟曝光图形上是否存在弱点的方法包括:将所述模拟曝光图形与所述目标图形进行对比,若某处的差异大于临界值,则该处为弱点;
当存在弱点时,基于所述弱点在所述目标图形中确定修正窗口,将所述修正窗口内的目标图形与所述模拟曝光图形对应区域的图形进行对比,获得所述修正窗口内每个边缘的位置误差,计算所述修正窗口内每个边缘的修正量对修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响,由所述修正窗口内每个边缘的修正量对修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响、和所述每个边缘的位置误差确定每个边缘的修正量,根据所述每个边缘的修正量对所述目标图形进行修正,获得修正后的目标图形,其中计算所述修正窗口内每个边缘的修正量对所述修正窗口内所有边缘的位置误差产生的影响包括:计算所述修正窗口内所有边缘的位置干扰矩阵;计算所述位置干扰矩阵的逆矩阵,由所述逆矩阵与所述每个边缘的位置误差计算出所述每个边缘的修正量。
2.如权利要求1所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述弱点为冲突性弱点,所述冲突性弱点位于所述模拟曝光图形上多个图案的交界处,对所述冲突性弱点处的模拟曝光图形进行光学邻近修正,会同时对所述多个图案产生影响。
3.如权利要求1所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述修正窗口内所有边缘的位置干扰矩阵包括:
所述矩阵的对角元素为对所述修正窗口内所有边缘中的任一边缘施加单位距离的修正量,所述任一边缘产生的位置误差;以及
所述矩阵的非对角元素为对所述修正窗口内所有边缘中的任一边缘施加单位距离的修正量,所述修正窗口内所有边缘中除所述任一边缘以外的其他边缘产生的位置误差。
4.如权利要求3所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述矩阵的对角元素大于所述矩阵的非对角元素。
5.如权利要求3所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述修正窗口内包括n个边缘,计算所述修正窗口内所有边缘的位置干扰矩阵的方法包括:
所述位置干扰矩阵T为n×n阶矩阵,矩阵元素表示所述n个边缘中的第j边缘的修正量对第i边缘的位置误差产生的影响,其中1≤i,j≤n。
6.如权利要求5所述的目标图形的修正方法,其特征在于,当i=j时,矩阵元素Tii的取值范围为1nm至5nm。
7.如权利要求5所述的目标图形的修正方法,其特征在于,当i≠j时,矩阵元素Tij的取值范围为0至1nm。
8.如权利要求6所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述n个边缘中第i边缘的修正量为Δfi=∑j(T-1)ijΔEpej,其中ΔEpej为第j边缘的位置误差,Δfi为第i边缘的修正量。
9.如权利要求1所述的目标图形的修正方法,其特征在于,所述每个边缘的修正量不大于5nm。
10.如权利要求1所述的目标图形的修正方法,其特征在于,根据所述每个边缘的修正量对所述目标图形进行修正,获得修正后的目标图形包括:根据所述每个边缘的修正量,对所述修正窗口内的目标图形进行修正。
11.如权利要求1所述的目标图形的修正方法,其特征在于,对所述目标图形进行光学邻近修正,获取掩模版图形的方法包括:对所述目标图形进行至少一次的光学邻近修正,获取掩模版图形。
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备