[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中包括硅区和浅沟槽隔离结构；

在所述硅区中形成定义源/漏区的凹槽，所述凹槽的侧壁暴露所述浅沟槽隔离结构；

在所述凹槽中形成SiGe层；

在所述SiGe层上形成第一覆盖层；

回蚀刻所述浅槽隔离结构，以暴露所述SiGe层的侧壁；

在所述SiGe层侧壁上形成第二覆盖层；

在所述浅沟槽隔离结构及所述第一覆盖层和第二覆盖层上沉积氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe层包括SiGe种子层及SiGe主体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiGe层的形成方法为外延生长法。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氧化物层的方法包括先沉积氧化物层，再湿法刻蚀所述氧化物层，直到暴露所述第一覆盖层的顶部。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆盖层和第二覆盖层均为Si层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆盖层的材料包括SiB、SiGe、SiGeB、SiC或SiCB。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一覆盖层的厚度为5埃到200埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二覆盖层的厚度为5埃到300埃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物层的材料包括硼磷硅玻璃、磷硅玻璃或深紫外线吸收氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，回蚀刻所述浅沟槽隔离结构所采用的刻蚀液为稀氢氟酸。

11.一种采用权利要求1-10之一所述方法制备的半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底中包括硅区和浅沟槽隔离结构；

形成于所述硅区中的凹槽，所述凹槽的侧壁暴露所述浅沟槽隔离结构；

形成于所述凹槽中的SiGe层；

形成于所述SiGe层顶部的第一覆盖层，以及形成于所述SiGe层侧壁上的第二覆盖层；以及

形成于所述浅沟槽隔离结构及所述第一覆盖层和第二覆盖层上的氧化物层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述SiGe层包括SiGe种子层及SiGe主体层。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一覆盖层和第二覆盖层均为Si层。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一覆盖层的材料包括SiB、SiGe、SiGeB、SiC或SiCB。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一覆盖层的厚度为5埃到200埃。

16.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第二覆盖层的厚度为5埃到300埃。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物层的上表面与所述第一覆盖层的上表面齐平。

18.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物层的材料包括硼磷硅玻璃、磷硅玻璃或深紫外线吸收氧化物。