[发明专利]一种单晶体石墨材料制备提纯装置有效
申请号: | 201610774914.2 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106395813B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 沈宇栋;蔡峰烽;章钰锋 | 申请(专利权)人: | 无锡东恒新能源科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/215 | 分类号: | C01B32/215 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 214037 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶体 石墨片 反应炉 磨损板 制备 石墨材料 提纯装置 石墨 提纯罐 隔层 高温加热 磨擦颗粒 物理磨损 振动装置 多晶体 多层 内壁 漂浮 吸收 | ||
本发明公开了一种单晶体石墨材料制备提纯装置,包括反应炉,反应炉内设置有多层用于放置石墨片材的隔层,反应炉内壁上还设置有多个与隔层对应的磨损板,磨损板朝向隔层的面上具有磨擦颗粒,连接磨损板设置有振动装置,所述反应炉底部设有提纯罐。与现有技术相比,本发明的一种单晶体石墨材料制备提纯装置,首先将石墨片材进行高温加热,然后利用磨损板对石墨片材进行物理磨损,将高温下石墨片材表面上分离出的单晶体从石墨片材上分离,完成石墨单晶体制备,而提纯罐收集从石墨片材上分离的物质,利用石墨单晶体相比其他杂质或多晶体较轻的特点,吸收漂浮在提纯罐上部单晶体含量较高的空气,提取到纯度较高的石墨单晶体。
技术领域
本发明涉及一种新型材料制造装置,特别是一种单晶体石墨材料制备提纯装置,属于新型材料制备领域。
背景技术
近年来,随着科技的蓬勃发展,电子产品的工作性能不断地被提升,并且电子产品的尺寸亦越来越小,而随着电子产品的工作速度与效率的提高,这也意味着电子产品的发热量越来越大,因此电子产品不仅需要配备相应的散热装置,还要确保散热装置具有绝佳的散热能力,以适时地散除电子产品内部的电子组件工作时所产生的热能,借此确保电子产品能正常运作,进而提高产品性能的可靠性及延长产品的使用寿命。
对此,石墨片 (Graphite Sheet) 因具有相对于金属散热片的低密度特性,以及具 有高散热 / 导热、绝缘抗腐蚀及低热阻等特性,目前已成为用以帮助电子产品实现快速散 热 / 导热的首选材料。石墨片除了可以沿水平进行导热,还可沿垂直方向进行导热,特别是 石墨片为片层状结构,因此更能适用于任何产品的表面,以利于达到更佳的散热 /导热的 作用。然而,在传统的石墨片的制备过程中,通常须先对天然的石墨鳞片进行酸化处理 及连续高温锻烧以产生石墨蓬松片,接着静置石墨蓬松片一特定时间以便退温取出。之后, 还须将石墨蓬松片滚压成预定厚度的石墨片,以完成石墨片的制备。值得注意的是,在单次 石墨片的制备过程,仅能获得一石墨片,如此反复操作将花费大量的制备时间,这将使得石 墨片的产能效率无法提高。
如专利号为201310369027.3一种纳米石墨片的制备方法,以天然鳞片石墨为原料,采用氧化剂和插层剂对天然鳞片石墨进行氧化插层处理,形成插层可膨胀石墨,采用微波加热方式对插层可膨胀石墨进行膨化,形成膨胀石墨,其后,在有机溶剂中,采用超声辐照对膨胀石墨进行剥离而成纳米石墨片;本发明方法操作简单,效率高,安全性好,膨胀均匀;所制备出的纳米石墨片其直径为0.5~20μm,厚度为0.35~50nm,平均厚度35nm,剥离程度高,具有卷筒形、卷曲S形、凹凸团块形不同形貌,导热性能良好,在有机溶剂中容易分散。
又如申请号为201410122837.3一种石墨片的制备方法,包括提供第一石墨片,并且黏附第一及第二离型基材于第一石墨片 的第一及第二表面上,接着沿第一石墨片的第一侧边分离第一及第二离型基材,以将第一石墨片分离为厚度均匀的第二及第三石墨片,之后压实分离后的第二石墨片,且黏附第三离型基材于压 实后的第二石墨片的分离面上,以便沿第二石墨片的第二侧边分离第一及第三离型基材,进而将第二石墨片分离为厚度均匀的第四及第五石墨片。本发明所提出的石墨片的制备方法可减少传 统石墨片的制备时间,并且还可简化制备流程,降低成本及减少污染。
以上两种制备方法都均影响了石墨片晶体的物理形态和化学形态,制备出的石墨会存在特性上的偏差。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种单晶体石墨材料制备提纯装置。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
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