[发明专利]VDMOS集成ESD结构的制备方法在审
| 申请号： | 201610768814.9 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298940A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 岳玲;刘挺;杨乐;周宏伟;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vdmos 集成 esd 结构 制备 方法 | ||
【说明书】：
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