[发明专利]一种MOM电容版图及其结构单元、建模方法

说明书

本发明提供一种MOM电容版图及其结构单元、建模方法，所述版图结构单元包括由按相同间距排布的多个相同长度的线条状金属层构成的主体区域，与所述主体区域邻接的两个端部区域，每个所述端部区域形成有与所述线条状金属层排布方向呈垂直关系的金属板，位于所述主体区域最外侧的金属层的一端连接所述金属板中的一个，位于所述主体区域最外侧的金属层的另一端的端部与所述金属板中的另一个的外侧壁平齐且不接触。所述MOM电容版图结构单元的电容值与所述MOM电容版图结构单元的主体区域面积呈正相关。根据本发明，通过所述MOM电容版图结构单元拼接的方法，实现无需长金属条条件下的电容扩展，方法简单且提取的模型参数少。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种MOM电容版图及其结构单元、建模方法。

背景技术

MOM(Metal-Oxide-Metal，金属-氧化物-金属)电容是目前广泛应用于芯片制造的一种电容器件。它主要是利用同层金属之间的电容，还可以通过堆叠多层MOM电容来实现较大的电容值。该种电容的好处是其可以用现有的后端金属互连工艺来实现，即可以同时完成MOM电容与金属互连结构，不需要增加额外的光刻层次，因此在高阶制程中的应用非常广泛。

通过增加MOM电容的实际电容面积可以实现电容值扩展，为了将单位面积的电容最大化，金属条的宽度和间距在版图上通常都是使用最小的设计规则。如果金属条过长的话，因为工艺能力或者在线的颗粒容易造成金属条的断线，从而使得到的电容的电容值与设计值发生大的偏差。

因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种MOM电容版图结构单元，包括由按相同间距排布的多个相同长度的线条状金属层构成的主体区域，与所述主体区域邻接的两个端部区域，每个所述端部区域形成有与所述线条状金属层排布方向呈垂直关系的金属板；位于所述主体区域最外侧的金属层的一端连接所述金属板中的一个，位于所述主体区域最外侧的金属层的另一端的端部与所述金属板中的另一个的外侧壁平齐且不接触。

在一个示例中，所述金属板中形成有呈直线状排列的多个通孔。

在一个示例中，所述多个线条状金属层交替延伸连接至所述金属板中的一个。

在一个示例中，所述一个端部区域中的金属板及连接其上的多个线条状金属层形成第一电极结构，所述另一个端部区域中的金属板及连接其上的多个线条状金属层形成第二电极结构，且所述第一电极结构和所述第二电极结构之间有绝缘层。

在一个示例中，所述第一电极结构和所述第二电极结构为E型平面结构。

本发明还提供一种MOM电容的版图，多个如上述MOM电容版图结构单元镜面对称拼接，相邻的位于所述主体区域最外侧的金属层不会受到其所连接的所述金属板的阻隔，相邻所述MOM电容版图结构单元的两极始终互相连接在一起。

在一个示例中，实施所述对称拼接后得到的总电容是每个MOM电容版图结构单元的电容的倍数，所述倍数等于所述MOM电容版图结构单元的个数。

在一个示例中，至少一个所述MOM电容版图结构单元的主体区域长度与其它MOM电容的版图结构单元的主体区域长度不同。

本发明还提供一种基于上述MOM电容的版图结构单元的建模方法，包括：

选取两组或多组所述MOM电容版图结构单元，所述MOM电容版图结构单元中的每个线条状金属层的宽度与相邻线条状金属层的间距之和相同；

测得所述MOM电容版图结构单元的主体区域单位面积的电容值和所述MOM电容版图结构单元的端部区域单位长度的电容值；

得到所述MOM电容版图结构单元的电容值与所述MOM电容版图结构单元的主体区域面积呈正相关。