[发明专利]数据储存装置及其数据维护方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个区块，每一区块包括多个页面。控制器在数据储存装置自一断电事件中恢复时，在区块中选择在断电事件之前最后一个进行写入的一第一区块，并且将第一区块中的多个第一页面中的数据写入第一区块中第一页面外的其他多个第二页面。

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置，特别有关于在断电事件后对数据进行维护的数据储存装置。

背景技术

快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置，是以电性方式抹除与程式化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬智力(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等使用。

快闪存储器(如，NAND FLASH)的储存阵列包括多个个区块(blocks)，其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极，可捕捉的电荷以储存数据。然而，在写入的过程中，非预期的断电事件发生会损坏正在写入的页面的数据。因此，如何在断电事件发生后对数据进行维护是一个重要的课题。

发明内容

本发明所提供的数据储存装置以及数据维护方法可在断电事件后将可能受损坏的数据重写至相同的区块中。

本发明提供一种数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个区块，每一区块包括多个页面。控制器在数据储存装置自一断电事件中恢复时，在区块中选择在断电事件之前最后一个进行写入的一第一区块，并且将第一区块中的多个第一页面中的数据写入第一区块中第一页面外的其他多个第二页面。

在一实施例中，第一区块还包括多个字元线，并且第一区块为一二阶储存单元区块(MLC block)，其中第一区块的每一字元线用以控制第一区块中的两个页面。在数据储存装置自断电事件中恢复时，控制器还用以在第一区块的页面中选择在断电事件之前最后一个被写入的页面以作为一基准页面，并且根据字元线中用以控制基准页面的一第一字元线决定第一页面。第一页面为被第一字元线以及排列于第一字元线前方的至少一第二字元线所控制的多个第三页面中具有有效数据的页面。又一实施例中，控制器还用以将冗余数据(dummy data)写入第三页面中不具有有效数据的页面。

另一实施例中，控制器还用以判断一备份区块中是否具有第一页面的备份，并且将第一页面中在备份区块不具有备份者的数据写入备份区块。另外，控制器还用以根据储存于备份区块中相应于第一页面的数据，对第二页面进行写入以将第一页面的数据写入第二页面，其中备份区块的数据保护能力高于第一区块。另外，一实施例中，第一区块为一二阶储存单元区块(MLC block)，并且备份区块为一单阶储存单元区块(SLC block)。

本发明另提供一种数据维护方法适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置，其中快闪存储器包括多个区块，并且每一区块包括多个页面。数据维护方法包括：在数据储存装置自一断电事件中恢复时，在区块中选择在断电事件之前最后一个进行写入的一第一区块；以及将第一区块中的多个第一页面中的数据写入第一区块中第一页面外的其他多个第二页面。

在一实施例中，第一区块还包括多个字元线，并且第一区块为一二阶储存单元区块(MLC block)，其中第一区块的每一字元线用以控制第一区块中的两个页面。其中，数据维护方法还包括:在第一区块的页面中，选择在断电事件之前最后一个进行写入的页面以作为一基准页面；以及根据字元线中用以控制基准页面的一第一字元线决定第一页面，其中第一页面为被第一字元线以及排列于第一字元线前方的至少一第二字元线所控制的多个第三页面中具有有效数据的页面。另外，数据维护方法还包括将冗余数据(dummy data)写入第三页面中不具有有效数据的页面。