[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

底电极通孔(BEVA)，包括：

衬垫层，位于所述底电极通孔的沟槽的底部和侧壁上方；以及

电镀的铜，位于所述衬垫层上方，填充所述底电极通孔的所述沟槽；

再生层，位于所述底电极通孔上；以及

磁性隧道结(MTJ)层，位于所述再生层上方；

其中，所述再生层覆盖所述衬垫层的顶面和所述电镀的铜的顶面，

其中，所述衬垫层是用于所述电镀的铜的晶种层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述再生层的材料由TiN、TaN、W、Al、Ni、Co、Cu或它们的组合构成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位于所述底电极通孔上方的底电极，设置在所述再生层上。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述底电极包括TiN、TaN、Ta、Ru或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底电极通孔被由至少两个介电层组成的介电堆叠件围绕。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底电极通孔被单介电层围绕。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底电极通孔、所述再生层和所述磁性隧道结层位于第N金属层和第(N+1)金属层之间，N是正整数。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述再生层还覆盖所述底电极通孔相邻的介电层的部分。

9.一种半导体结构，包括：

逻辑区；以及

存储器区，包括：

第N金属层；

第(N+M)金属层，位于所述第N金属层上方，N和M是正整数；以及

磁性随机存取存储器(MRAM)结构，位于所述第N金属层和所述第(N+M)金属层之间，

其中，所述磁性随机存取存储器结构的底电极通孔(BEVA)包括填充所述底电极通孔的沟槽的铜，并且其中，再生层位于所述底电极通孔上方。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述磁性随机存取存储器结构的底电极通孔还包括：

衬垫层，位于所述底电极通孔的沟槽的底部和侧壁上方，

其中，所述衬垫层是用于所述铜的晶种层。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括：

介电层，围绕所述底电极通孔；

其中，所述再生层进一步位于接近所述底电极通孔的部分所述介电层上方。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，还包括位于所述铜和所述介电层之间的钽(Ta)层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述再生层包括TiN、TaN、W、Al、Ni、Co或Cu。

14.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：

在介电层中形成底电极通孔(BEVA)；

在所述底电极通孔上方形成衬垫层；

在所述衬垫层上电镀铜并且填充所述底电极通孔；

在所述铜上方实施第一平坦化，包括：

在所述铜和所述衬垫层之间实施第一选择性去除，其中，所述铜消耗得比所述衬垫层快；和

在所述铜和所述衬垫层之间实施第二选择性去除，其中，所述衬垫层消耗得比所述铜快；以及

在所述铜上方形成磁性隧道结(MTJ)层，

其中，所述方法还包括：在所述第一平坦化后，在所述铜上方形成再生层。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述再生层上方实施第二平坦化。