[发明专利]感测控制信号发生电路和包括其的半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储块，包括分别耦接到多个位线的多个单元串；

页缓冲器，响应于感测控制信号而耦接到相应位线，每个页缓冲器适用于感测被传送给感测节点的相应位线的电压；以及

感测控制信号发生单元，适用于在编程操作期间将感测控制信号产生为以恒定斜率上升的斜坡信号，并且在读取操作期间将感测控制信号产生为水平信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，页缓冲器中的每个包括：

耦接单元，适用于响应于感测控制信号而将对应的位线与感测节点电耦接；

预充电单元，适用于响应于预充电信号而将感测节点预充电至预充电电压电平；以及

锁存器单元，耦接到感测节点，且适用于暂时储存要经由位线而被编程至选中存储单元中的数据以及经由对应的位线而从对应的单元串读取的数据。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，感测控制信号发生单元包括：

斜坡信号发生单元，适用于通过用具有不同强度的偏压中的一个或更多个对内部电容器充电来在斜坡节点处产生斜坡信号；以及

感测控制信号驱动单元，适用于通过驱动斜坡节点同时将斜坡节点与感测控制节点分离来输出斜坡信号作为感测控制信号。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，斜坡信号发生单元包括：

电流源，适用于选择偏压中的一个或更多个；以及

电容器，适用于使用选中的偏压来在斜坡节点处产生斜坡信号。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，电流源响应于具有经补偿的PVT变化的带隙信号而产生所述偏压。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，

其中，电流源包括并联耦接在高电压节点与斜坡节点之间的第一偏置单元至第三偏置单元，

其中，第一偏置单元至第三偏置单元中的每个包括串联耦接在高电压节点与斜坡节点之间的第一晶体管和第二晶体管，

其中，第一晶体管响应于第一开关信号至第三开关信号之一而工作，以及

其中，第二晶体管响应于第一带隙信号至第三带隙信号之一而工作。

7.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，电容器对倾斜变化不敏感。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，电容器包括氧化物-氮化物-氧化物层ONO电容器。

9.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，感测控制信号驱动单元包括具有单位增益缓冲器的源极跟随器，所述单位增益缓冲器接收高电压作为驱动电压。

10.如权利要求3所述的半导体存储器件，还包括：

放电单元，适用于响应于放电信号而将斜坡节点放电至地电压；以及

高电压充电单元，适用于在感测控制信号以恒定斜率上升之后将感测控制节点驱动至高电压。

11.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，感测控制信号发生单元包括具有单位增益缓冲器的源极跟随器以在读取操作期间将感测控制信号产生为水平信号。

12.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，感测控制信号发生单元包括：

动态偏置单元，适用于通过用具有不同强度的偏压中的一个或更多个对内部电容器充电来经由斜坡节点产生斜坡信号；

第一选择单元，适用于响应于编程/读取信号而选择参考电压或斜坡信号，以及经由驱动输入节点而输出选中的电压或信号作为驱动输入信号；

第二选择单元，适用于响应于编程/读取信号而选择电源电压或比电源电压高的高电压；以及

感测控制信号驱动单元，适用于从第二选择单元接收电压作为工作电压，以及输出驱动输入信号作为感测控制信号。