[发明专利]一种晶体管的凹槽栅制备方法及大功率射频器件

权利要求书

1.一种晶体管的凹槽栅制备方法，其特征在于，包括：

S01、在衬底上先后沉积牺牲层和光刻胶；制成所述牺牲层的材料包括二氧化硅；

S02、利用激光直写光刻对所述光刻胶的光刻区域进行相变处理；

S03、利用显影液浸泡处理在相变处理后的光刻胶和所述牺牲层上进行显影；在所述光刻胶的非光刻区域和所述牺牲层上形成光刻图形；所述显影液为能够腐蚀光刻胶，但不能腐蚀所述相变处理后的光刻胶的溶液；

S04、通过在氧气、压缩空气或真空环境中对所述相变处理后的光刻胶进行退火处理；以进一步对所述相变处理后的光刻胶进行相变处理；

S05、以所述进一步相变处理后的光刻胶和所述牺牲层作为掩膜对所述衬底进行刻蚀；

S06、去除所述衬底上的剩余所述光刻胶和所述牺牲层，在所述衬底上形成晶体管的凹槽栅。

2.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述晶体管为高电子迁移率晶体管；

所述步骤S01中沉积牺牲层和光刻胶的方法包括：原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积、电耦合等离子化学气相沉积、光学薄膜沉积、磁控溅射沉积或电子束蒸发沉积；所述衬底为氮化镓。

3.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火时间为20～40分钟。

4.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述步骤S05，包括：

以所述进一步相变处理后的光刻胶和所述牺牲层作为掩膜，利用等离子体刻蚀对衬底进行刻蚀；

所述等离子体刻蚀包括：反应等离子体刻蚀或电感耦合等离子体刻蚀。

5.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述光刻胶为无机光刻胶。

6.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为15～30纳米。

7.根据权利要求1所述的凹槽栅制备方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为30～80纳米。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的凹槽栅制备方法制备的大功率射频器件。