[发明专利]表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法有效
| 申请号: | 201610747047.3 | 申请日: | 2016-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN106696501B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
| 发明(设计)人: | 甄常刮;顾辛艳 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;B41F15/36 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 改性 模板 制作方法 电致发光 器件 | ||
1.一种表面改性掩模板,所述表面改性掩模板具有多个镂空部(10),其特征在于,所述表面改性掩模板具有改性表面(20),所述改性表面(20)包括第一改性表面(210)和第二改性表面(220),所述第一改性表面(210)围绕所述镂空部(10),所述第一改性表面(210)之外的所述改性表面(20)为所述第二改性表面(220),且所述第一改性表面(210)和所述第二改性表面(220)不同且分别选自亲水性表面和疏水性表面中的一种。
2.一种掩模板的表面改性方法,其特征在于,包括以下步骤:
对具有多个镂空部(10)的掩模板的表面进行改性,形成改性表面(20),其中,所述改性表面(20)包括第一改性表面(210)和第二改性表面(220),所述第一改性表面(210)围绕所述镂空部(10),所述第一改性表面(210)之外的所述改性表面(20)为所述第二改性表面(220),且所述第一改性表面(210)和所述第二改性表面(220)不同且分别具有亲水性或疏水性。
3.根据权利要求2所述的表面改性方法,其特征在于,所述表面改性方法包括:
步骤S01,将掩模板浸入具有疏水性材料的溶液中,以使所述疏水性材料固定于所述掩模板的表面;
步骤S02,将固定有所述疏水性材料的所述掩模板与所述溶液分离,并对所述掩模板进行干燥处理;
步骤S03,将第一光罩设置于所述掩模板的第一表面上,所述第一光罩由多个第一遮挡部以及连接各所述第一遮挡部的第一透光部组成,所述第一遮挡部与所述镂空部(10)一一对应,且各所述第一遮挡部的面积大于与其对应的各所述镂空部(10)的面积,通过第一光罩对所述第一表面进行紫外线臭氧光解氧化,再对所述掩模板的与所述第一表面相对的第二表面进行紫外线臭氧光解氧化,以形成具有亲水性的第二改性表面(220),所述掩模板的其余表面构成具有疏水性的所述第一改性表面(210);或
将第二光罩设置于所述掩模板上,所述第二光罩由多个第二透光部以及连接各所述第二透光部的第二遮挡部组成,且所述第二透光部与所述镂空部(10)一一对应,且各所述第二透光部的面积大于与其对应的各所述镂空部(10)的面积,对所述掩模板进行紫外线臭氧光解氧化,以使所述掩模板的对应所述第二透光部的表面形成具有亲水性的第一改性表面(210),所述掩模板的其余表面构成具有疏水性的所述第二改性表面(220)。
4.根据权利要求3所述的表面改性方法,其特征在于,在所述步骤S01中,所述疏水性材料为含氟的硅烷偶联剂。
5.一种电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,提供具有像素隔离结构的第一电极基板,所述像素隔离结构具有多个相互隔离的子像素区域;
步骤S2,将权利要求1所述的表面改性掩模板设置于所述第一电极基板的具有所述像素隔离结构的一侧,所述表面改性掩模板的第一改性表面远离所述第一电极基板设置,且所述表面改性掩模板的一个或多个镂空部对应至少部分所述子像素区域中的各所述子像素区域设置;
步骤S3,采用溶液法使与所述表面改性掩模板的第一改性表面具有相同亲疏水性的墨水通过所述镂空部进入对应的所述子像素区域中;
步骤S4,将所述子像素区域中的所述墨水干燥,形成发光层或功能层。
6. 根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,
所述墨水为空穴注入材料墨水、空穴传输材料墨水、电子注入材料墨水和电子传输层材料墨水中的任一种,在所述步骤S4中,将所述墨水干燥,以形成对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层或电子传输层;或
所述墨水为量子点材料墨水和有机发光材料墨水中的任一种,在所述步骤S4中,将所述墨水干燥,以形成对应的量子点发光层或有机发光层。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,当所述墨水为量子点材料墨水时,所述制作方法还包括至少重复一次所述步骤S2至S4的过程,各次重复过程中,所采用的表面改性掩模板的镂空部对应不同的子像素区域,所采用的墨水的发光颜色也不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610747047.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种木质产品宽度检测装置及其检测方法
- 下一篇:光干涉线接触油膜测量机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





