[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；

形成横跨所述鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；

去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部；

对所述栅极结构两侧的剩余鳍部进行定向氧化工艺，氧化部分厚度的所述剩余鳍部，形成氧化层；

完成所述定向氧化工艺后，在所述栅极结构两侧的氧化层上形成应力层；

在所述应力层内形成源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，提供所述基底后，形成所述栅极结构之前，所述制造方法还包括：在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部低于所述鳍部顶部；

形成所述栅极结构的步骤中，所述栅极结构还覆盖部分所述隔离结构顶部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部的步骤包括：去除所述栅极结构两侧凸出于所述隔离结构的鳍部、以及位于所述隔离结构之间的部分厚度的鳍部，使所述剩余鳍部的顶部低于所述隔离结构的顶部，且在所述隔离结构之间形成凹槽；

对所述栅极结构两侧的剩余鳍部进行定向氧化工艺的步骤中，氧化所述凹槽底部的部分厚度的剩余鳍部，形成氧化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度为10埃至100埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部的工艺为等离子体干法刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀气体为CF₄、HBr、O₂和Cl₂中的一种或多种气体，CF₄的气体流量为10sccm至200sccm，HBr的气体流量为100sccm至500sccm，O₂的气体流量为0sccm至50sccm，Cl₂的气体流量为10sccm至100sccm，源功率为100W至1000W，偏置电压为100V至500V，压强为2mTorr至50mTorr，刻蚀时间为10s至10分钟。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述鳍部的材料为硅，所述氧化层的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为50埃至100埃。

9.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述定向氧化工艺为含氧氛围下的定向带状等离子体灰化工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部后，使被所述栅极结构覆盖的鳍部具有暴露在外的侧壁表面，所述侧壁表面为鳍部侧壁；

所述定向带状等离子体灰化工艺对所述凹槽底部的鳍部的氧化速率大于对所述鳍部侧壁的氧化速率。

11.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述定向带状等离子体灰化工艺的步骤包括：向刻蚀腔中通入氧化气体；

提供脉冲直流偏压，将所述氧化气体转化为电感耦合等离子体；

采用所述电感耦合等离子体，对所述凹槽底部的鳍部进行轰击以氧化所述鳍部。