[发明专利]一种二氧化钒薄膜及其低温沉积方法

权利要求书

1.一种二氧化钒薄膜，其特征在于，所述二氧化钒薄膜由通过磁控溅射技术依次形成在衬底上的缓冲层以及二氧化钒薄膜层构成，所述缓冲层为二氧化钒缺氧层，其中所述二氧化钒缺氧层的结构式为VO_x，其中1.0≤x≤1.75；所述缓冲层的厚度为2～100nm；所述二氧化钒薄膜层为纯相的单斜晶相或四方晶相二氧化钒。

2.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜，其特征在于，所述衬底为玻璃、蓝宝石、单晶硅、单晶锗、二氧化钛、氮化硅、氮化钛和金属单质中的一种。

3.根据权利要求1所述的二氧化钒薄膜，其特征在于，所述缓冲层的厚度为2～20 nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的二氧化钒薄膜，其特征在于，所述二氧化钒薄膜层的厚度为30～300nm。

5.一种磁控溅射低温沉积如权利要求1-4中任一项所述二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，包括：

（1）以金属钒靶或/和氧化钒陶瓷靶为靶材、氩气为溅射气体、以及不采用氧气或以氧气为反应气体，在第一氧气分压下，于200～380℃下对所述靶材进行溅射以在衬底上溅射缓冲层，所述第一氧气分压为0～3%；

（2）以金属钒靶或/和氧化钒陶瓷靶为靶材、氩气为溅射气体、以及氧气为反应气体，在高于第一氧气分压的第二氧分压下，于200～380℃下对所述靶材进行溅射以在缓冲层上溅射二氧化钒薄膜层，得到所述二氧化钒薄膜，所述第二氧分压为1%～5%。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（1）中控制背底真空为5～10×10^-5 Pa；沉积全压0.5～5.0Pa；溅射功率50～150W；溅射时间2～200分钟。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，步骤（2）中控制背底真空为5～10×10^-5 Pa；沉积全压0.5～5.0Pa；溅射功率50～150W；溅射时间4～400分钟。