[发明专利]一种电磁阀

权利要求书

1.一种电磁阀，包含：阀座总成，线圈总成；

所述线圈总成包含：控制模块，第一绕组，第二绕组，线圈骨架；

控制模块设置于所述线圈总成的一个腔内，

所述第一绕组和第二绕组缠绕在所述线圈骨架，

所述第一绕组和第二绕组分别有两个接线，

所述第一绕组与控制模块连接或与电源连接，在通电后维持通电状态；

所述第二绕组与控制模块连接；

所述控制模块包含：延时单元，用于通电后经一定时间，断开所述第二绕组与电源的电连接，所述第二绕组通过所述延时单元与电源电连接。

2.如权利要求1所述的电磁阀，其特征在于：所述第二绕组与所述第一绕组缠绕在所述线圈骨架，所述第二绕组的匝数(N2)与所述第一绕组的匝数(N1)相差不超过5％，所述第一绕组的漆包线的线径大于等于所述第二绕组的漆包线的线径；或，

所述第二绕组与所述第一绕组依次缠绕在所述线圈骨架，所述第一绕组位于相对内层，所述第二绕组位于相对外层，所述第二绕组位于所述第一绕组外侧。

3.如权利要求1-2任一项所述的电磁阀，其特征在于：所述第一绕组的匝数(N1)与所述第二绕组的匝数(N2)相差不超过5％，所述第一绕组的电阻(R1)与所述第二绕组的电阻(R2)之比介于1:1到5:1之间；或者，所述第一绕组的匝数(N1)与所述第二绕组的匝数(N2)不同，所述第二绕组的匝数(N2)大于所述第一绕组的匝数(N1)，所述第二绕组的匝数(N2)除以所述第二绕组的电阻(R2)之比(N2/R2)是所述第一绕组的匝数(N1)除以所述第一绕组电阻(R1)之比(N1/R1)的1倍到5倍之间。

4.如权利要求1-2任一项所述的电磁阀，其特征在于：所述第一绕组的匝数(N1)与所述第二绕组的匝数(N2)相差不超过5％，所述第一绕组的电阻(R1)与所述第二绕组的电阻(R2)之比介于1:1到10:1之间；或者，所述第一绕组的匝数(N1)与所述第二绕组的匝数(N2)不同，所述第二绕组的匝数(N2)大于所述第一绕组的匝数(N1)，所述第二绕组的匝数(N2)除以所述第二绕组的电阻(R2)之比(N2/R2)是所述第一绕组的匝数(N1)除以所述第一绕组电阻(R1)之比(N1/R1)的1倍到10倍之间。

5.如权利要求1-4任一项所述的电磁阀，其特征在于：

所述延时单元包括，延时继电器，

所述延时继电器具有2个接脚连接电源的两端，所述电磁阀通电所述延时继电器计时，所述电磁阀还具有2个接脚，连接第二绕组的两端，

所述电磁阀通电后经一定时间，所述电磁阀通过所述延时单元断开所述第二绕组与电源的电连接。

6.如权利要求1-4任一项所述的电磁阀，其特征在于：

所述延时单元包括，电容及晶体管，

所述电容的一端连接所述晶体管的集电极，电容的另一端连接所述晶体管的基极，所述第二绕组的一端连接所述晶体管的发射极，所述第二绕组的另一端连接电源的负极；电源的正极连接所述电容的一端；

或，电容及金属氧化物半导体场效应管，

所述电容的一端连接所述金属氧化物半导体场效应管的漏极，电容的另一端连接所述金属氧化物半导体场效应管的栅极；

所述第二绕组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第二绕组的另一端连接电源的负极；电源的正极连接所述电容的一端；

所述电磁阀通电后所述电容经一定时间充电，所述晶体管或金属氧化物半导体场效应管截止，所述电磁阀通过所述延时单元断开所述第二绕组与电源的电连接。

7.如权利要求6所述的电磁阀，其特征在于：所述延时单元包含：

电容、第一电阻、至少一个三极管及限流电阻；

电容的正极连接电源的正极，电容的负极连接第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接电源的负极，所述第一绕组的一端连接电源的正极，所述第一绕组的另一端连接电源的负极，限流电阻的一端连接电容的负极，限流电阻的另一端连接所述三极管的基极；三极管的集电极连接电容的正极，三极管的发射极连接第二绕组的一端；第二绕组的另一端连接所述第一电阻的另一端及电源的负极；所述第二绕组设置有续流二极管，所述续流二极管连接所述三极管的发射极，所述续流二极管的阳极连接第二绕组的另一端。