[发明专利]半导体封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610730201.6 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106711131A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 高金福;符策忠;林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/48;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
第一器件，具有第一连接表面；
第一导电组件，至少部分地从所述第一连接表面突出；
第二器件，具有面向所述第一连接表面的第二连接表面；以及
第二导电组件，至少从所述第二连接表面暴露出，
其中，所述第一导电组件和所述第二导电组件形成具有第一喙轮廓的接头，所述第一喙轮廓具有位于所述接头的第一侧处的尖端，所述尖端指向所述第一连接表面或所述第二连接表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，从由半导体晶圆和半导体芯片组成的组选择所述第一器件。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，从由半导体晶圆和半导体芯片组成的组选择所述第二器件。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一导电组件是电介质通孔(TDV)或硅通孔(TSV)。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，从截面观察的所述第一导电组件的宽度和所述第二导电组件的宽度是不同的。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，从截面观察的所述第一导电组件的宽度低于25微米。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一导电组件是位于所述第一连接表面上的接触焊盘。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括位于所述第一连接表面和所述第二连接表面之间的底部填充物。
9.一种用于制造半导体封装件的方法，包括：
提供具有第一连接表面和至少部分地从所述第一连接表面突出的第一导电组件的第一器件；
提供具有第二连接表面和至少从所述第二连接表面暴露出的第二导电组件的第二器件；
对所述第一导电组件或所述第二导电组件实施蚀刻以获得所述第一导电组件或所述第二导电组件的不平坦的顶面；以及
连接所述第一导电组件和所述第二导电组件。
10.一种用于制造混合接合的半导体封装件的方法，包括：
提供具有第一连接表面和至少部分地从所述第一连接表面突出的第一导电组件的第一器件；
提供具有第二连接表面和至少从所述第二连接表面暴露出的第二导电组件的第二器件；
对所述第一导电组件或所述第二导电组件实施蚀刻以获得位于所述第一导电组件的顶面或所述第二导电组件的顶面上方的至少一个尖端；
在恒温下连接所述第一导电组件和所述第二导电组件。
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