[发明专利]钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备及其使用方法和应用

权利要求书

1. 一种钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，包括主腔体（26），其特征在于，在所述主腔体（26）内分别设置有两个前驱物加热台（9）和（13）以及基底固定槽（10），所述两个前驱物加热台（9）和（13）分别靠近主腔体（26）的左右两端部，所述基底固定槽（10）设置在两个前驱物加热台（9）和（13）之间，在所述前驱物加热台（9）和（13）上分别设置有前驱物储存盒（8）和（12），在所述基底固定槽（10）上放置有若干组待沉积薄膜的基底（11），每组基底（11）背靠背紧贴地放置有两片基底（11），所述两片基底（11）的待沉积薄膜的表面各自朝向主腔体（26）的一端；在所述主腔体（26）的左右两端分别连通带有载气进气控制阀（1）和 （22）的载气管道，在所述主腔体（26）上还连通有抽真空装置，在所述主腔体（26）上还设置有给基底（11）加热的主腔体加热装置；在两端的载气管道上分别连通有溶剂蒸发装置。

2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，其特征在于，在所述主腔体（26）内还设置有分流隔板（27）和（28），所述分流隔板（27）和（28）分别设置在前驱物储存盒（8）和（12）与主腔体（26）两端部的载气管道口之间，所述分流隔板（27）和（28）分别通过分流隔板固定槽（29）和（30）可拆卸地设置在主腔体（26）的内壁上。

3.如权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，其特征在于，所述抽真空装置包括真空泵（15）和真空控制阀（14），所述抽真空装置通过真空管路与主腔体（26）相连通，所述真空泵（15）和真空控制阀（14）依次设置在真空管路上，所述真空控制阀（14）更靠近主腔体（26）。

4.如权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，其特征在于，所述溶剂蒸发装置通过溶剂管路与载气管道相连通，所述溶剂蒸发装置包括溶剂容器（6）和（17）、溶剂加热台（5）和（18）以及溶剂蒸汽控制阀（7）和（16），所述溶剂加热台（5）和（18）分别给溶剂容器（6）和（17）加热，溶剂的蒸汽分别通过溶剂蒸汽控制阀（7）和（16）和溶剂管路进入载气管道。

5.如权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，其特征在于，在所述载气管道上还分别连通有预留功能气装置，所述预留功能气装置包括预留功能气管路和预留功能气进气阀（3）和（20）。

6. 如权利要求1或2所述的钙钛矿薄膜的低压化学沉积的设备，其特征在于，所述的钙钛矿半导体材料为ABX₃ 结构，其中A为胺基、脒基或者碱族中的至少一种，B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中至少一种的阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种的阴离子；所述退火腔载物台中的溶剂可为酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种。