[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体器件。

背景技术

对掺杂的半导体材料(例如富有或耗尽载流子电荷的层)的表面施加金属层产生具有与半导体材料中的p-n结相当的性能的接触区域。该金属半导体接触区域的常用名为肖特基二极管。肖特基二极管充分限制电流流动至一个方向的能力是一种严重依赖集成电路制造和设计的性能。当正向偏置时，肖特基二极管处于“开启”状态并且电流流经二极管。当二极管反向偏置时，肖特基二极管处于“断开”状态并且理想地将不允许电流流动。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一阱区，配置为所述半导体器件的阳极；第一掺杂区域，配置为所述半导体器件的阴极；第二掺杂区域，配置为所述半导体器件的另一阴极；以及导电区域，其中，所述第一阱区设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，并且所述第一阱区配置为电连接所述导电区域。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一阱区，配置为所述半导体器件的阳极；第一掺杂区域，配置为所述半导体器件的阴极；以及导电区域，设置在所述第一阱区下方并且与所述第一阱区相连，所述导电区域配置为当所述半导体器件是正向偏置的时产生电流。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成导电区域；在所述衬底中形成阱；在所述阱中形成第一阱区以用作所述半导体器件的阳极，所述第一阱区配置为电连接所述导电区域；以及形成第一掺杂区域和第二掺杂区域以用作所述半导体器件的阴极，所述第一阱区设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1A是根据本发明的一些实施例的半导体器件的布局顶视图。

图1B是根据本发明的一些实施例的图1A所示的半导体器件沿线A-A'截取的截面图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体器件的图。

图3A至图3F是根据本发明的一些实施例的示出制造半导体器件的方法的图。

图4是根据本发明的一些实施例的示出形成半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

图1A是根据本发明的一些实施例的半导体器件1的布局顶视图。参照图1A，半导体器件1包括第一区域120和第二区域115。例如，在半导体器件1用作肖特基二极管的实施例中，第一区域120是阳极区域并且第二区域115是阴极区域。

第一区域120由诸如浅沟槽隔离(STI)结构的隔离结构118限定。第一区域120包括第一阱区12和多个阱区18。

第一阱区12基本设置在第一区域120的中心部分处。此外，第一阱区12是第一掺杂剂类型的半导体阱。在实施例中，第一掺杂剂类型是p型。此外，第一阱区12是深p阱。在本实施例中，第一阱区12用作半导体器件1的阳极。在图案化的导电层(未示出)中的第一阱区12上形成拾取AN(图1B所示)以用于电连接。

在本实施例中，多个阱区18相对于第一阱区12基本对称地设置。多个阱区18的每个是第一掺杂剂类型的半导体阱。在本实施例中，多个阱区18也用作半导体器件1的阳极。

在诸如STI结构的隔离结构118和隔离结构114之间限定第二区域115。第二区域115包括第一掺杂区域141和第二掺杂区域142。为了简洁和方便，图1A中仅示出两个掺杂区域141和142，然而第二区域115可以包括多个这样的掺杂区域。第一掺杂区域141和第二掺杂区域142相对于第一阱区12对称地设置。第二区域115(即，阴极区域)基本围绕第一区域(阳极区域)。