[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器结构，包括：

衬底，包括第一感光区域和第二感光区域；

隔离结构，穿过所述衬底形成以分离所述第一感光区域与所述第二感光区域；

第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，形成在所述衬底的前侧处，其中，所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构位于所述隔离结构的相对侧处；

接触件，形成在所述隔离结构上方并且形成在所述第一源极/漏极结构的一部分和所述第二源极/漏极结构的一部分上方。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中，所述隔离结构由氮化硅、氧化硅或多晶硅制成。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中，所述隔离结构从所述衬底的前侧延伸至所述衬底的背侧。

4.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其中，所述隔离结构的宽度小于所述接触件的宽度。

5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，还包括：

互连结构，形成在所述衬底的前侧上方；以及

滤色器层，形成在所述衬底的背侧上方。

6.根据权利要求1所述的图像传感器结构，还包括：

第一栅极结构，邻近所述第一源极/漏极结构形成；以及

第二栅极结构，邻近所述第二源极/漏极结构形成。

7.根据权利要求6所述的图像传感器结构，其中，所述第一栅极结构的侧壁与所述隔离结构的侧壁之间的最短距离小于150nm。

8.一种图像传感器结构，包括：

衬底；

隔离结构，穿过所述衬底形成以将所述衬底划分为第一区域和第二区域；

第一感光区域，形成在所述衬底的第一区域中；

第二感光区域，形成在所述衬底的第二区域中；

第一栅极结构，形成在所述衬底的第一区域上方；

第二栅极结构，形成在所述衬底的第二区域上方；

第一源极/漏极结构，邻近所述第一栅极结构形成；

第二源极/漏极结构，邻近所述第二栅极结构形成；以及

接触件，与所述隔离结构重叠并且与所述第一源极/漏极结构的一部分和所述第二源极/漏极结构的一部分重叠。

9.根据权利要求8所述的图像传感器结构，还包括：

第一硬掩模结构，形成在所述第一栅极结构上方，

其中，所述接触件的一部分形成在所述第一硬掩模结构的一部分上。

10.一种用于制造图像传感器结构的方法，包括：

在衬底中形成隔离结构以将所述衬底划分为第一区域和第二区域；

在所述第一区域中形成第一感光区域，并且在所述第二区域中形成第二感光区域；

在所述第一区域上方形成第一栅极结构，并且在所述第二区域上方形成第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构位于所述衬底的前侧处；

邻近所述第一栅极结构形成第一源极/漏极结构，并且邻近所述第二栅极结构形成第二源极/漏极结构；

在所述衬底的前侧上方形成层间介电层以覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；

穿过所述层间介电层形成接触沟槽，从而使得通过所述接触沟槽暴露所述第一源极/漏极结构的一部分、所述第二源极/漏极结构的一部分和所述隔离结构；以及

在所述接触沟槽中形成接触件。