[发明专利]反熔丝结构、半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种反熔丝结构，包括用于施加编程电压的第一端，以及用于与编程晶体管连接的第二端，其特征在于，还包括：沿垂直方向间隔设置的至少两层金属层，每层金属层均包括彼此间隔布置的第一金属连线和第二金属连线，且在垂直方向上相邻金属层中对应位置的金属连线至少在部分区域中类型不同，所述第一金属连线与所述第一端电性连接，所述第二金属连线与所述第二端电性连接，所述第一金属连线和第二金属连线之间以及各层所述金属层之间通过介电层隔离，当施加编程电压后，所述介电层击穿，所述第一端和第二端导通。

2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，各层所述金属层中的第一金属连线通过硅通孔彼此电性连接，且位于最上层金属层中的第一金属连线与所述第一端电性连接；

各层金属层中的第二金属连线通过硅通孔彼此电性连接，且位于最上层金属层中的第二金属连线与所述第二端电性连接。

3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，垂直方向上相邻金属层中的金属连线呈彼此垂直布置。

4.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，垂直方向上相邻金属层中的金属连线呈彼此平行布置。

5.根据权利要求4所述的反熔丝结构，其特征在于，相邻金属层中的所述第一金属连线和第二金属连线的布置方式相反。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述金属层的数量至少为3层。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，每层所述金属层中的第一金属连线的数量大于等于2，第二金属连线的数量大于等于2。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一金属连线和第二金属连线呈直线状。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有如权利要求1-8任意一项所述的反熔丝结构以及与所述反熔丝结构连接的编程晶体管。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的及电子组件。