[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号: | 201610702018.5 | 申请日: | 2016-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN106601623A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
| 发明(设计)人: | 陈宪伟;陈煜仁;叶德强 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/48;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
背景技术
包括半导体器件的电子设备对我们的日常生活是必不可少的。随着电子技术的进步,电子器件变得越来越复杂以及需要更多数量的集成电路系统以用于执行期望的多功能。因此,电子器件的制造包括一个或多个组装和加工的步骤以及用于生产电子设备中的半导体器件的材料。因此,持续地需要简化生产步骤、提高生产效率以及降低在电子设备上的相关的制造成本。
在制造半导体前的操作中,半导体器件安装有包括具有不同热性能的各个材料的许多集成组件。如此,在半导体器件的固化之后,集成组件在不期望的配置中。不期望的配置可以导致半导体器件的良率损失、组件之间差的粘结性、裂缝的发展、组件的分层等。此外,半导体器件的组件包括各个金属层,各个金属层的数量有限制以及因此成本较高。组件的不期望的配置和半导体器件的良率损失可能进一步加剧材料损耗以及因此增加制造成本。
随着包括具有不同材料的更多的不同组件以及半导体器件的制造操作的复杂度增加,改进半导体器件以及改进制造操作更具挑战。如此,持续地需要改进用于制造半导体的方法以及解决上述缺点。
发明内容
根据本发明的一个实施例,提供了一种半导体器件,包括:多个半导体管芯,垂直地堆叠以具有垂直高度;电介质,围绕堆叠的所述半导体管芯;以及导电柱,位于堆叠的所述半导体管芯外部以及延伸穿过所述电介质;其中,所述导电柱的高度大于所述垂直高度。
根据本发明的另一实施例,还提供了一种制造半导体器件100的方法,包括:提供衬底;在所述衬底上方设置导电柱,其中,所述导电柱的高度大于250μm;在所述衬底上方并且邻近所述导电柱垂直地堆叠多个半导体管芯;设置电介质以围绕所述导电柱和所述多个半导体管芯;以及通过所述导电柱电连接所述多个半导体管芯。
根据本发明的另一实施例,还提供了一种制造半导体器件的方法,包括:垂直地堆叠多个半导体管芯;提供衬底;在所述衬底上方设置导电柱,其中,所述导电柱的高度大于250μm;邻近所述导电柱放置所述多个半导体管芯;以及设置电介质以围绕所述导电柱和所述多个半导体管芯;以及通过所述导电柱电连接所述多个半导体管芯。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
图1是根据一些实施例的半导体器件的示意图。
图2是根据一些实施例的半导体器件的示意图。
图3是根据一些实施例的半导体器件的示意图。
图4是根据一些实施例的半导体器件的示意图。
图5A至图5D是根据一些实施例的制造堆叠的组件的方法的流程图。
图6A至图6F是根据一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
图7A至图7G是根据一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为了便于描述,在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





