[发明专利]内连接结构及其形成方法

说明书

本发明揭露一种内连接结构及其形成方法。内连接结构包含一非绝缘结构、一衬垫层、一介电结构以及一导电结构。衬垫层位于非绝缘结构上并具有一开口于其中。介电结构位于衬垫层上。介电结构包含一通孔开口于其中。导电结构位于介电结构的通孔开口中并通过衬垫层的开口电性连接非绝缘结构，导电结构的至少一部分是沿着从非绝缘结构往介电结构的一方向渐缩。

技术领域

本发明是关于一种半导体元件的内连接结构，且特别是关于内连接结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业在过去数十年内历经了快速的成长。受惠于集成电路材料和设计的进步，集成电路一代比一代具有体积更小且元件分布更密集的进步。这些材料及设计的进步可使得相关的制程也随之进步。当最小元件的尺寸降低时，许多挑战会出现。举例来说，导线与介电材料的内连接结构可利于连接晶体管及其他元件，故此内连接结构在集成电路性能的提升上扮演重要的角色。

发明内容

在一些实施方式中，内连接结构包含一非绝缘结构、一衬垫层、一介电结构以及一导电结构。衬垫层位于非绝缘结构上并具有一开口于其中。介电结构位于衬垫层上。介电结构包含一通孔开口于其中。导电结构位于介电结构的通孔开口中并通过衬垫层的开口电性连接非绝缘结构，导电结构的至少一部分是沿着从非绝缘结构往介电结构的一方向渐缩。

在一些实施方式中，内连接结构包含一非绝缘结构、一衬垫层、一介电结构以及一导电结构。衬垫层位于非绝缘结构上并具有一开口于其中。介电结构位于衬垫层上。介电结构包含一通孔开口于其中。导电结构位于介电结构的通孔开口中并通过衬垫层的开口电性连接非绝缘结构。导电结构包含一第一部分以及一第二部分。第二部分是位于第一部分与非绝缘结构之间，其中第二部分的宽度变化大于第一部分的宽度变化。

在一些实施方式中，一种内连接结构的形成方法包含形成一衬垫层于一非绝缘结构上，形成一介电结构于衬垫层上，形成一通孔开口贯穿介电结构并进入衬垫层中使得通孔开口的至少一部分是沿着从非绝缘结构往介电结构的一方向渐缩、以及形成一导电结构于通孔开口中，其中导电结构是电性连接非绝缘结构。

附图说明

本发明的实施方式可从以下的详细说明及随附的附图理解。值得注意的是，根据产业上的实际应用，各个特征并未按照比例绘制，事实上，各个特征的尺寸可以任意的放大或缩小，以利清楚地说明。

图1至图8是根据本发明一些实施方式的用于制造内连接结构的方法在各个阶段下的剖面图。

具体实施方式

以下提供本发明的多种不同的实施方式或实施例，以实现本发明的不同技术特征。元件的实施方式和配置是如下所述以简化本发明。当然，这些叙述仅为示例，而非用以限制本发明。举例而言，第一特征是形成于第二特征上的叙述可包括第一特征与第二特征是直接接触的实施方式，亦可包括额外特征形成于第一与第二特征之间的实施方式，使得第一特征与第二特征可非直接接触。此外，本发明可重复地使用元件符号于多个实施方式中。此重复是为了简洁，并非用以讨论各个实施方式及/或配置之间的关系。

另外，空间相对用语，如“下”、“下方”、“低”、“上”、“上方”等，是用以方便描述一元件或特征与其他元件或特征在附图中的相对关系。除了附图中所示的方位以外，这些空间相对用语亦可用来帮助理解元件在使用或操作时的不同方位。当元件被转向其他方位(例如旋转90度或其他方位)时，本文所使用的空间相对叙述亦可帮助理解。

图1至图8是根据本发明一些实施方式的用于制造内连接结构的方法在各个阶段下的剖面图。参照图1，衬垫层104是形成于非绝缘结构102上。非绝缘结构102是指由一或更多种非绝缘材料、多晶硅、金属、导电材料、半导体材料或上述的组合形成的结构。非绝缘结构102可做为半导体元件，诸如鳍式场效晶体管(fin field effect transistor；FinFET)，的栅极电极、源极/漏极区域。