[发明专利]印刷型电致发光器件的像素单元及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 201610695573.X | 申请日: | 2016-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN107046047A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
| 发明(设计)人: | 李哲 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/33 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 李海恬 |
| 地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 印刷 电致发光 器件 像素 单元 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种印刷型电致发光器件的像素单元,包括:基板、第一电极、像素界定层、发光功能层和第二电极,所述第一电极位于所述基板上,所述像素界定层形成于所述基板和所述第一电极上,并在与所述第一电极相对应的位置设有容纳打印墨水的像素坑,其特征在于,
还包括薄膜层,所述发光功能层和所述第二电极依次层叠设置于所述像素坑内,并覆盖所述第一电极,所述薄膜层的基部覆盖所述第二电极,所述薄膜层的顶部具有凸起的弧度,且所述薄膜层由透明材料制成,所述薄膜层的折射率大于空气折射率且小于所述第二电极的折射率。
2.根据权利要求1所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述像素坑的内壁为角度为10°-70°的斜坡。
3.根据权利要求2所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述薄膜层的透明材料与所述像素界定层材料之间的接触角β的范围为30°-90°。
4.根据权利要求1所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述薄膜层包括至少两种不同折射率材料制成的多层结构,且每层结构的折射率在远离基板的方向上逐渐降低。
5.根据权利要求1所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述薄膜层最大厚度不小于0.5μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述薄膜层由以下材料中的至少一种制成:分子量低于2000的有机分子、有机高分子树脂、有机硅、金属氧化物、金属硫化物、硅氧化物、氮氧化硅、和氮化硅。
7.根据权利要求6所述的印刷型电致发光器件的像素单元,其特征在于,所述薄膜层由以下材料中的至少一种制成:聚酰胺、聚丙烯氰、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚对苯二乙基砜、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜、聚氯乙烯、聚硅氧烷、聚偏二氟乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚脲、聚四氟乙烯和环氧树脂。
8.权利要求1-7任一项所述的印刷型电致发光器件的像素单元的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备第一电极:在具有TFT驱动电路的基板上制备出第一电极图案;
制备像素界定层:在上述基板和第一电极上制备像素界定层,并通过光刻工艺使该像素界定层形成相应的像素坑;
制备发光功能层和第二电极:在上述像素坑内第一电极上方依次制备出所述发光功能层和所述第二电极,所述发光功能层至少包括一层发光层;
制备薄膜层:在上述像素坑内第二电极上方制备出所述薄膜层。
9.根据权利要求8所述的印刷型电致发光器件的像素单元的制备方法,其特征在于,所述制备薄膜层步骤中,采用喷墨打印和/或挤出加工的方式形成所述薄膜层;
所述喷墨打印的具体方式为:将薄膜层材料的溶液以喷墨打印的方式填入像素坑内,覆盖于第二电极之上,随后使溶剂挥发,并去除残留溶剂和水分;
所述挤出加工的具体方式为:将加热熔化的薄膜层材料挤出填入像素坑内,覆盖于第二电极之上,使温度缓慢降至室温。
10.一种发光显示器件,其特征在于,具有1-7任一项所述的印刷型电致发光器件的像素单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





