[发明专利]一种掩膜板清洗系统

说明书

技术领域

本发明涉及显示制造技术领域，尤其涉及一种掩膜板清洗系统。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)是分别从阳极注入空穴(Hole)和从阴极注入电子(Electron)后在有机薄膜层形成p-n结后发光的器件，其响应速度比液晶显示面板(TFT-LCD)快1000倍以上；且OLED由于是自发光系统，因此不需要背光源，不仅可以将重量减少到TFT-LCD的三分之一，OLED还可以利用薄膜及塑料基板的柔韧性形成柔性显示面板，并且其视角可以达到180度，功耗低(低消耗电力)，明暗比率大，可实现高画质的彩色再现性。因此，OLED作为新一代显示而备受瞩目。

在制作OLED时，需要在面板的特定位置蒸镀上负责发光的有机物图案，在蒸镀有机物的过程中一般是使用掩膜板控制形成的有机物图案的位置。根据所需蒸镀有机物图案的位置，掩膜板分为如图1a所示的中间镂空的口字型即开放(Open)型掩膜板，以及如图1b所示的部分区域镂空的高精度金属掩模板(FMM)。

在制作OLED的过程中掩膜板会重复使用，在掩膜板使用一段时间后其表面会残留被蒸镀的材料，因此需要对掩膜板进行清洗。目前的掩膜板清洗系统为采用液体进行清洗的湿式清洗系统，如图2所示，具体包括级联的以下腔室：(1)等候室01(Loader)；(2)有机物清洗室02(NMP Bath)，是采用NMP溶液对掩膜板上的有机物进行化学清洗的腔室；(3)冲洗室03(Rinse Bath)，是采用去离子水对掩膜板上残留的NMP溶液进行清洗的腔室，防止因NMP溶液造成后续KOH溶液的污染；(4)无机物清洗室04(KOH Bath)，是采用KOH溶液对掩膜板上的无机物进行化学清洗的腔室；(5)冲洗室05(Rinse Bath)，是采用去离子水对掩膜板上残留的KOH溶液进行清洗的腔室，防止因KOH溶液造成后续IPA溶液的污染；(6)异丙醇清洗室06(IPA Bath)，是采用IPA溶液对掩膜板进行清洗的腔室；(7)烘干室07(Drying Bath)，是对掩膜板进行烘干的腔室；(8)卸载室08(Unloader)。

可以看出现有的湿式清洗系统中使用的腔室较多使产线(Line)较长，会产生占用空间较大(Foot Print)的问题；并且，在清洗过程中使用了去除有机物的NMP溶液及去除无机物的强碱KOH溶液，这些溶液在清洗结束后变为废水，为不造成环境污染在排出前需要进行再处理，这就需要增加再处理设备，且随着持续增多的溶液使用，会导致管理成本(CoO，Cost of Ownership)上升等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩膜板清洗系统，用以解决现有掩膜板清洗系统占用空间较大且管理成本较高的问题。

因此，本发明实施例提供了一种掩膜板清洗系统，包括级联设置的以下腔室：

用于采用等离子体清洗掩膜板表面的残留物的等离子体真空清洗腔；

用于采用清洗液去除所述掩膜板表面的残留物的湿式清洗腔；以及，

用于去除所述掩膜板表面的水分的烘干腔。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，所述等离子体真空清洗腔通过阀门与抽真空泵浦连接；在所述等离子体真空清洗腔内设置有：相对而置的上部电极和下部电极，掩膜板支撑部，以及与流量控制器连接的气体注入部；其中，

所述掩膜板支撑部用于将所述掩膜板固定于所述下部电极之上；

所述上部电极用于加载电压与所述下部电极产生电场后，电离所述气体注入部注入的气体产生等离子体。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，所述上部电极为平板状；所述气体注入部设置在所述上部电极的侧边；或，

所述上部电极面向所述下部电极的一面具有多个排气孔，所述气体注入部为所述排气孔。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，所述气体注入部注入的气体为O2、Ar、N2、Ar和O2的混合气体、或Ar和N2的混合气体。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，在所述上部电极加载电压时，所述下部电极处于悬空状态或接地状态。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，所述上部电极加载的电压为50-300KHz或13.56MHz。

在一种可能的实现方式中，本发明实施例提供的上述掩膜板清洗系统中，所述等离子体真空清洗腔内还设置有：用于分析腔内残留气体的模块。