[发明专利]一种超扭曲向列液晶显示器驱动IC模拟电路在审

专利信息
申请号: 201610691765.3 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN107767823A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 王小义 申请(专利权)人: 王小义
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110179 辽宁省沈*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 扭曲 液晶显示器 驱动 ic 模拟 电路
【说明书】:

所属技术领域

发明涉及一种超扭曲向列液晶显示器驱动IC模拟电路,适用于显示器领域。

背景技术

随着全球数字技术的突飞猛进,人们对电子设备的显示提出了更高的要求。由于液晶具有特殊的理化和光电特性,决定了它能够支持色彩显示且不会闪烁,再加上液晶本身成本较低,且电压低、功耗小、环保性能好,可以投入生产,所以液晶显示器(LCD)成为21世纪显示器的主流。为了配合LCD的发展和应用,LCD的驱动芯片也成为了研究的一个热门。

我国对显示产业的重视,推动了液晶显示产业的发展,其中也包括STN-LCD的发展STN-LCD虽然显示品质不如TFT-LCD,但是它制造工艺简单,成本低,成了STN-LCD占据移动通讯等领域市场的重要因素。大多数LCD公司为了降低成本,STN-LCD仍然成为他们的首选。随着人们对显示质量的要求越来越高,为了更好的适应市场的需求,STN-LCD的显示质量和显示容量的提高以显得刻不容缓,更高的分辨率,更宽的视角成了STN-LCD所追求的目标。

由上述STN-LCD的发展可知,与其它同类产品相比,其具有较高的性价比。现如今社会,人们都格外看重价格,不论商家还是买家,为了追求最大的利益,对同类产品而言,人们往往偏向于挑选性价比较高的那个,所以从某种角度来说,性价比的高低决定了产品所占的市场份额。这也就是为什么ST`N-LCD会被广泛的应用在UKEY、手机、pDA等便携式设备当中,直到现在还受到许多LCD商家的青睐。

STN-LCD液晶属于被动矩阵式LCD器件,它的好处是功耗小,具有省电这一最大优势。而在STN-LCD中与其相对应的驱动IC扮演了重要的角色,为了提高STN-LCD的性能,其相应驱动IC的性能也需要提高,所以研究驱动IC对于STN-LCD的发展有着相当重要的意义。

发明内容

本发明提供一种超扭曲向列液晶显示器驱动IC模拟电路,电路结构紧凑,具有轻巧、省电、成本低等特点,保证了电路的可靠性,提高了性价比。

本发明所采用的技术方案是。

超扭曲向列液晶显示器驱动IC模拟电路由过低温度保护电路、上电复位电路模块、带隙基准电压电路、LDO电路和内部运放电路组成。

所述过低温度保护电路由一个比较器和一些逻辑电路组成。在比较器的两端分别加有输入信号和一个基准信号,两个信号进行比较,由比较器将结果输出给逻辑电路,经过逻辑电路的处理,最终将输出一个保护信号,这个信号会被送入芯片各模块内部。当输出的保护信号为低电平时,芯片各模块将会停止工作,起到保护整个芯片的作用。在或非门的一端加入延迟,是为了防止比较器输出不稳定时造成的误触发。

所述上电复位电路模块在电源上电前,A点电位VA=0, VDD=O。此时复位信号reset为低电平。当电源开始上电,A点电位仍为低,VDD为高,这时复位信号reset输出高电平。经过一段时间后,当电容C充满了电荷,此时A点电位为高,复位信号reset就会再次输出低电平。这个电路主要是为了在芯片开始工作时,让整个芯片先复位,恢复初始状态,避免有紊乱的信号输出,确保芯片的正常工作。

所述带隙基准电压电路中,双极晶体管换成了PNP管,这是为了与CMOS工艺兼容。利用CMOS工艺中的P型衬底,N阱,和N阱中的P+区就可以做成一个PNP晶体管。其中P+区作为PNP管的发射区,N阱作为基区,P型衬底作为集电区。为了让PNP管能够正常工作,集电区与基区之间的PN结需反偏,所以P衬底须要接最低电位,即接地。

所述LDO电路由一个运放和一个MOS管构成,因为运放的特性,它会迫使输入两端电压相等,通过调节负载电流来保证输出电压是一个稳定值。若若想要的电压值等于Uref,只要使得Ra电阻为零即可。输出电压Vout只与电阻和基准电压有关,与电源电压无关,这说明LDO具有较高的电源抑制比,输出电压不受电源噪声的影响。

所述内部运放电路是一个折叠式运放,M1管、M8管和M9管做电流源,与前级开启电路的输出组成电流镜,Vbiasl与Vbias2分别为NMOS管与PMOS管提供偏置电压,利用电流镜的镜像原理。M8,M9管的漏端电流ID8=ID9。为了保证运放能够正常工作,除了电流源的偏置外,还需要给M6, M7管提供合适的偏置电压。M7管为一个倒比管,因为该MOS管的沟道长度大于宽度,所以与普通MOS管相比,其栅源电压VGs比较高。M6、 M7管的偏置电压才能多出一个余量,其中VDS8是M8管漏源间的电压,VTH为M6管的阈值电压。这样M6,M7管才能正常工作。

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