[发明专利]冲压加工装置和聚焦环凸台的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体溅射靶材制造领域，尤其涉及一种冲压加工装置和聚焦环凸台的加工方法。

背景技术

溅射技术是镀膜的一种基本技术，是指以一定能量的离子束轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。

通常情况下，溅射镀膜过程中，金属离子从溅射靶材表面溅射出来，沿多个不同方向离开靶材表面，这样到达基板上的靶材很少。为了减少靶材的浪费，通常使用聚焦环对所述金属离子进行汇聚，以增加到达基板上的离子。聚焦环一般为环状金属线圈，所述金属线圈外部具有凸台。聚焦环通过所述凸台安装在溅射腔体内。凸台包括台体；与所述台体相连的凸缘；位于所述台体内的凹槽。一般通过机械加工方法对待加工件进行加工形成所述凸台。

然而，现有的聚焦环凸台的加工方法存在材料利用率低、加工工序复杂、加工效率低、成本高的缺点。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种冲压装置和聚焦环凸台的加工方法，能够提高聚焦环凸台的加工效率及材料利用率低。

为解决上述问题，本发明提供一种冲压加工装置，所述冲压加工装置用于对待加工件进行加工，第一模具，所述第一模具包括：滑块孔和凸台孔，所述凸台孔用于容纳所述待加工件，所述凸台孔包括：相连的凸缘孔和台体孔，所述凸缘孔与所述滑块孔连接，所述凸缘孔横截面尺寸大于所述台体孔横截面尺寸，且小于所述滑块孔横截面尺寸；第二模具，所述第二模具用于朝所述第一模具移动并对所述待加工件施加压力，所述第二模具横截面尺寸小于所述台体孔横截面尺寸；滑块，所述滑块用于支撑所述待加工件，且用于在所述滑块孔中移动。

可选的，所述第二模具包括：模具体和位于所述模具体上的凸出部，所述凸出部用于在所述待加工件中形成凹槽。

可选的，所述滑块孔、台体孔和所述凸缘孔为圆孔，且所述滑块孔、台体孔和所述凸缘孔的轴线重合，所述滑块为圆柱体。

可选的，所述台体孔的直径为18mm～22mm；所述凸缘孔的直径为25mm～31mm；所述滑块孔的直径为55mm～65mm。

可选的，还包括：冲头，所述冲头用于带动所述第二模具向所述待加工件移动。

可选的，所述第一模具、第二模具和所述滑块的材料为钢。

可选的，还包括：与所述滑块相连的连接件，所述连接件用于带动所述滑块在所述滑块孔中移动。

相应的，本发明还提供一种聚焦环凸台的加工方法，包括：提供待加工件，所述待加工件包括相对的第一端部和第二端部；提供冲压加工装置；通过所述连接件使所述滑块位于所述滑块孔中；将所述待加工件放置于所述凸台孔中，使所述待加工件第一端部与所述滑块接触，并使所述第一端部位于所述凸缘孔中，使所述第二端部位于所述台体孔中；通过所述第二模具朝所述待加工件第二端部施加压力，使所述待加工件的第一端部形成凸缘，所述凸缘凸出于所述待加工件第二端部侧壁表面，使所述待加工件第二端部形成台体，所述凸缘和所述台体形成凸台；形成所述凸台之后，使所述滑块移出所述滑块孔；使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动，直至取出所述凸台。

可选的，所述第二模具包括：模具体和凸出于所述模具体表面的凸出部；朝所述待加工件第二端面施加压力的过程中，使所述凸出部对所述待加工件第二端部进行挤压，在所述第二端部中形成凹槽。

可选的，所述滑块孔、台体孔和所述凸缘孔为圆孔，所述滑块为圆柱体，所述凸缘和凸台为圆柱体。

可选的，所述台体的直径为18mm～22mm；所述凸缘的直径为25mm～31mm。

可选的，所述台体直径大于所述待加工件直径，且与待加工件直径之差在0.08mm～0.10mm的范围内。

可选的，所述冲压加工装置还包括：冲头，所述冲头用于带动所述第二模具移动；通过所述第二模具朝所述待加工件第二端部施加压力之前，还包括：将所述第二模具与所述冲头固定连接，使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动的步骤包括：通过所述冲头使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动。

可选的，所述待加工件的材料为钽。

可选的，使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动的过程中，所述第二模具移动的距离大于或等于所述台体孔的深度。

可选的，使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动的过程中，所述第二模具移动的距离为25mm～50mm。

可选的，所述第二模具的长度大于或等于所述台体孔的深度。

可选的，所述滑块移出所述滑块孔之后，使所述第二模具推动所述凸台向所述滑块孔移动。