[发明专利]在使用搅拌器几何形状和运动控制的电镀处理器中的适应性电场屏蔽

权利要求书

1.一种电镀处理器，所述电镀处理器包含：

容器；

顶盖，所述顶盖具有用于保持晶片且与晶片电接触的晶片保持器，其中所述顶盖为可移动的以将所述晶片保持器保持在所述容器中；

在所述容器中的至少一个阳极；

在所述容器中的搅拌器；和附着于所述搅拌器的致动器，用于在所述容器之内水平地移动所述搅拌器；

其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列；且其中所述搅拌器的第一侧比所述搅拌器的第二侧具有更少的狭缝；和/或其中所述搅拌器的所述第一侧上的所述狭缝比所述搅拌器的所述第二侧上的所述狭缝更短，其中所述第一侧是所述搅拌器的左侧和右侧中的一侧，并且所述第二侧是所述搅拌器的所述左侧和右侧中的另一侧。

2.一种用于电镀处理器中的搅拌器，所述电镀处理器具有：顶盖，所述顶盖具有用于保持晶片和与晶片电接触的晶片保持器，其中所述顶盖为可移动的以将所述晶片保持器在含有电解液的容器中定位；和在所述容器中的至少一个阳极；和附接于所述搅拌器的致动器，用于在所述容器之内水平地移动所述搅拌器，所述搅拌器具有以下特征：

所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列；且其中所述搅拌器的第一侧比所述搅拌器的第二侧具有更少的狭缝；和/或其中所述搅拌器的所述第一侧上的所述狭缝比所述搅拌器的所述第二侧上的所述狭缝更短，其中所述第一侧是所述搅拌器的左侧和右侧中的一侧，并且所述第二侧是所述搅拌器的所述左侧和右侧中的另一侧。

3.一种电镀方法，所述电镀方法包含：

将晶片放置成为与容器中的液体电解质接触；

传导电流通过所述液体电解质；

以有选择地屏蔽所述晶片的一部分的运动在所述晶片之下移动搅拌器，和

旋转所述晶片并将所述晶片的旋转与所述搅拌器的运动同步，以将所述晶片的最高未图案化区域与由所述搅拌器的所述运动和几何形状提供的最高屏蔽条件对准。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列，且其中所述搅拌器的第一侧比所述搅拌器的第二侧具有更少的狭缝。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列，且其中所述搅拌器的第一侧上的所述狭缝比所述搅拌器的第二侧上的所述狭缝更短。

6.一种电镀方法，所述电镀方法包含：

将晶片放置成为与容器中的液体电解质接触；

传导电流通过所述液体电解质；

以有选择地屏蔽所述晶片的一部分的运动在所述晶片之下移动搅拌器；

其中所述搅拌器具有交错运动，以便在所述晶片的第一侧上的所述搅拌器的时间平均存在大于在所述晶片的第二侧上的所述搅拌器的时间平均存在，并且所述第一侧是所述搅拌器的左侧和右侧中的一侧，并且所述第二侧是所述搅拌器的所述左侧和右侧中的另一侧。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列，且其中所述搅拌器的第一侧比所述搅拌器的第二侧具有更少的狭缝。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列，且其中所述搅拌器的所述第一侧上的所述狭缝比所述搅拌器的所述第二侧上的所述狭缝更短。

9.一种电镀方法，所述电镀方法包含：

将晶片放置成为与容器中的液体电解质接触；

传导电流通过所述液体电解质；

以有选择地屏蔽所述晶片的一部分的运动在所述晶片之下移动搅拌器；

其中所述搅拌器具有肋条和狭缝的阵列，且其中所述搅拌器的第一侧比所述搅拌器的第二侧具有更少的狭缝，并且所述第一侧是所述搅拌器的左侧和右侧中的一侧，并且所述第二侧是所述搅拌器的所述左侧和右侧中的另一侧。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：旋转所述晶片并将所述晶片的旋转与所述搅拌器的运动同步。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述搅拌器的所述第一侧上的所述狭缝比所述搅拌器的所述第二侧上的所述狭缝更短。