[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基底，具有凹槽；

栅极介电层，设置于该凹槽中，其中该栅极介电层具有一平坦上表面及一突出边缘，该突出边缘沿着垂直于该基底的方向突出于该平坦上表面；

漏极及源极，设置于该栅极介电层的相对侧边；以及

栅极，设置于该栅极介电层上，其中该栅极与该栅极介电层的该突出边缘在沿着平行于该基底的方向彼此不交叠，且该栅极两侧的该平坦上表面未被该栅极覆盖。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该基底还包括硅化物层，该硅化物层设置于该漏极及源极上。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该突出边缘的一上表面和该平坦上表面相隔的一高度差为500～600埃。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极的一侧面和该栅极介电层的该侧边相隔一距离，该距离为1～3微米。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该突出边缘的一宽度为0.12～0.15微米。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括浅沟绝缘结构，环绕该栅极和该漏极及源极。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括漏极及源极轻掺杂区，设置于该基底中，其中该漏极及源极以及部分该栅极介电层位于该漏极及源极轻掺杂区上方。

8.如权利要求1所述的半导体元件，还包括间隙壁，设置于该栅极的侧面，该间隙壁的厚度为250～300埃。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极包括：

功函数金属层；以及

低电阻率填充金属，设置于该功函数金属层上。

10.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供一基底；

形成一凹槽于该基底中；

形成一栅极介电层于该凹槽中，其中该栅极介电层具有一平坦上表面及一突出边缘，该突出边缘沿着垂直于该基底的方向突出于该平坦上表面；

形成漏极及源极于该栅极介电层的相对侧边；以及

形成一栅极于该栅极介电层上，其中该栅极与该栅极介电层的该突出边缘沿着平行于该基底的方向彼此不交叠，且该栅极两侧的该平坦上表面未被该栅极覆盖。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成一硅化物层于该漏极及源极上。

12.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中该突出边缘的一上表面和该平坦上表面相隔的一高度差为500～600埃。

13.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中该栅极的一侧面和该栅极介电层的该侧边相隔一距离，该距离为1～3微米。

14.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中该突出边缘的一宽度为0.12～0.15微米。

15.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成一浅沟绝缘结构，其中该浅沟绝缘结构环绕该栅极和该漏极及源极。

16.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成漏极及源极轻掺杂区于该基底中，其中该漏极及源极以及部分该栅极介电层位于该漏极及源极轻掺杂区之上。

17.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成一间隙壁于该栅极的一侧面，该间隙壁的厚度为250～300埃。