[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中或衬底上具有电连接结构，所述衬底和电连接结构上具有介质层；

形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部暴露出所述电连接结构；

通过原子层气相沉积工艺在所述接触孔底部和侧壁表面形成金属硅化物层；

去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层，形成金属硅化物；去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层的步骤包括：在所述接触孔底部表面的金属硅化物层上形成保护层；以所述保护层为掩膜对所述金属硅化物层进行刻蚀，去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层；去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层之后，去除所述保护层；

形成金属硅化物之后，在所述接触孔中形成插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为钛硅或镍硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的厚度为5nm～200nm。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺形成所述金属硅化物层的反应气体包括：含金属元素的前驱体和含四族元素的前驱体。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述含金属元素的前驱体为含钛前驱体，所述含四族元素的前驱体为含硅前驱体；

所述含钛前驱体包括：TiCl₄，所述含硅前驱体包括：SiH₄、SiH₂或Si₂H₆。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺形成所述金属硅化物层的工艺参数包括：反应温度为200℃～500℃；气体压强为0.2torr～5torr；所述含钛前驱体的流量为5mL/min～100mL/min，所述含硅前驱体的流量为5mL/min～100mL/min。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10埃～200埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：

在所述金属硅化物层上形成初始保护层，所述接触孔底部金属硅化物层上的初始保护层具有第一厚度，覆盖所述接触孔侧壁的初始保护层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；

对所述初始保护层进行刻蚀，直至去除覆盖所述接触孔侧壁的初始保护层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除覆盖所述接触孔侧壁的初始保护层的工艺包括：湿法刻蚀或各向同性干法刻蚀。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀对所述金属硅化物层进行刻蚀的反应物包括氢氟酸。

13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的工艺包括：干法刻蚀或湿法刻蚀。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层的工艺包括：湿法刻蚀工艺或各向同性干法刻蚀。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺去除所述接触孔侧壁表面的金属硅化物层的反应物包括硫酸。