[发明专利]双重图形化的方法

权利要求书

1.一种双重图形化的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有若干分立的核心层；

在所述核心层顶部和侧壁上以及基底上形成侧墙层，其中，位于所述核心层侧壁上的侧墙层具有相对的第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁紧挨所述核心层；

在所述侧墙层上形成填充满相邻核心层之间区域的牺牲层，所述牺牲层紧挨所述第二侧壁；

去除高于所述核心层顶部的侧墙层，暴露出所述核心层顶部；

刻蚀去除第一厚度核心层，且还刻蚀所述侧墙层顶部以及高于剩余核心层的第一侧壁，使得高于剩余核心层顶部的第一侧壁呈弧形；

去除所述牺牲层，暴露出所述侧墙层的第二侧壁；

采用各向异性刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙层，刻蚀去除位于部分基底上的侧墙层，且还刻蚀所述侧墙层的第二侧壁以及第一侧壁，回刻蚀所述侧墙层，使得高于剩余核心层顶部的第二侧壁呈弧形，在回刻蚀所述侧墙层之后，高于剩余核心层顶部的第一侧壁与第二侧壁相对称；

去除所述剩余核心层；

以所述回刻蚀后的侧墙层为掩膜，刻蚀所述基底形成目标图形；

在平行于所述基底表面方向上，所述核心层的宽度为第一宽度，位于相邻核心层之间的牺牲层的宽度为第二宽度，且所述第二宽度等于所述第一宽度。

2.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述第一厚度为所述核心层的初始厚度的1/5～2/3。

3.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述核心层的材料为无定形碳，采用掺杂有O₂的碳氟基气体，刻蚀去除所述第一厚度的核心层；所述核心层的材料为多晶硅，采用Cl等离子体，刻蚀去除所述第一厚度的核心层。

4.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀工艺采用的气体包括碳氟基气体。

5.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述核心层的材料为非晶碳、ODL材料、多晶硅、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述侧墙层的材料与所述核心层的材料不同。

7.如权利要求6所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述侧墙层的材料为氧化硅或氮化硅。

8.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺，形成所述侧墙层。

9.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与所述侧墙层的材料不同。

10.如权利要求9所述的双重图形化的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为DUO材料、BARC材料或者旋转涂覆的含碳材料。

11.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，在回刻蚀所述侧墙层之后，去除所述剩余核心层。

12.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，在暴露出所述核心层顶部之前，所述牺牲层顶部高于所述核心层顶部；暴露出所述核心层顶部的工艺步骤包括：采用化学机械研磨工艺，研磨去除高于所述核心层顶部的牺牲层以及侧墙层。

13.如权利要求1所述的双重图形化的方法，其特征在于，在暴露出所述核心层顶部之前，所述牺牲层顶部高于所述侧墙层顶部；暴露出所述核心层顶部的工艺步骤包括：采用化学机械研磨工艺，研磨去除高于侧墙层顶部的牺牲层；在化学机械研磨工艺之后，采用干法刻蚀工艺，对所述牺牲层以及侧墙层进行干法刻蚀处理。