[发明专利]磁控溅射方法以及磁控溅射装置

权利要求书

1.一种磁控溅射方法，其特征在于，包括：

步骤1：将待加工件移入工艺腔室内并放置于基座上；

步骤2：将所述基座移动到加热位置，对所述待加工件进行加热，当所述待加工件的温度达到预设温度时进入步骤3；

步骤3：检测所述工艺腔室的真空状态，如果满足磁控溅射工艺要求，则进行步骤4，如果不满足则返回步骤2；

步骤4：将所述基座移动到工艺位置，对所述待加工件进行磁控溅射。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述步骤3包括：

按预设时间间隔，循环检测所述工艺腔室的真空状态。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述预设时间间隔为300s；检测工艺腔室的真空状态包括：检测工艺腔室的压升率，并判断压升率是否达到预定值；当压升率小于或者等于10000ntorr/s时，进行预溅射。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述步骤4包括：

步骤4-1：对所述待加工件进行预溅射；

步骤4-2：对所述待加工件进行主溅射。

5.根据权利要求4所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述步骤4-1包括：

将所述基座移动到预溅射位置；

将遮蔽盘移至靶材与所述待加工件之间；

在所述工艺腔室内通入惰性气体；

进行预溅射，以对所述靶材的表面进行预处理。

6.根据权利要求5所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述惰性气体包括氩气和氮气，其中，氩气的流量为30sccm，氮气的流量为50sccm；所述预溅射包括：

施加3000W的溅射功率进行预溅射，持续时间为30秒。

7.根据权利要求4所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述步骤4-2包括：

将遮蔽盘从靶材与所述待加工件之间移开；

将所述基座移动到主溅射位置；

对所述待加工件进行主溅射以在所述待加工件上形成薄膜；以及

将所述待加工件移出所述工艺腔室。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述主溅射包括：施加3000W的溅射功率进行主溅射，持续时间为550秒。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射方法，其特征在于，所述预设温度为650℃。

10.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括工艺腔室，所述工艺腔室采用如权利要求1-9所述的磁控溅射方法，对待加工件进行加热和磁控溅射。

11.根据权利要求10所述的磁控溅射装置，其特征在于，

在所述工艺腔室(12)的上方设置有靶材(10)；在所述工艺腔室(12)的下方设置有用于承接待加工件的基座(6)，所述基座(6)被配置为能够在所述加热位置和所述工艺位置之间升降；

所述工艺腔室还包括：

遮蔽盘(13)，其被配置为能够被移入和移出所述靶材(10)与待加工件之间的区域；

加热装置(5)，其位于所述基座(6)与所述待加工件之间；以及

压升率检测装置(11)，其被配置为用于检测所述工艺腔室内的压升率。