[发明专利]带微调控制的振荡电路有效

专利信息
申请号: 201610664136.1 申请日: 2016-08-12
公开(公告)号: CN107733367B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 唐华;郭萌萌;荀本鹏;沈景龙;曲世军 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 微调 控制 振荡 电路
【说明书】:

一种带微调控制的振荡电路,包括:基础振荡电路;电流源阵列,适于调节基础振荡电路的输出时钟频率,电流源阵列包括多列电流源,每列电流源的输出受各自对应的微调开关控制;带微调控制的振荡电路还包括:多个栅压调节电路,每个栅压调节电路适于接收微调控制信号,当微调控制信号用于控制微调开关断开时,对微调控制信号的电压值进行调节以产生输出信号,输出信号用于控制微调开关;其中,微调开关为PMOS管时,栅压调节电路的输出信号的电压值高于微调控制信号的电压值;微调开关为NMOS管时,栅压调节电路的输出信号的电压值低于微调控制信号的电压值。上述方案可使带微调控制的振荡电路输出频率随温度变化减小。

技术领域

发明涉及振荡电路技术领域,特别是涉及一种带微调控制的振荡电路。

背景技术

为了补偿温度对振荡电路的影响,通常在振荡电路的基础上引入微调(trimming)控制电路。然而,当半导体工艺的关键尺寸(Critical Dimension,CD)较小时,由于漏电流的影响,会导致振荡电路的温度特性变差。

因此,对于带微调控制的振荡电路,如果不对漏电流进行抑制,漏电流在经过微调控制电路后,会引起振荡电路输出频率随温度变化的范围较大,换句话说,振荡电路的温度特性会变差,从而影响振荡电路的性能。

发明内容

本发明实施例要解决的技术问题是抑制漏电流随温度的变化,进而使得带微调控制的振荡电路输出频率随温度变化减小,提升带微调控制的振荡电路输出频率随温度变化的特性。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种带微调控制的振荡电路,包括:基础振荡电路电流源阵列,适于调节所述基础振荡电路的输出时钟频率,所述电流源阵列包括多列电流源,每列电流源的输出受各自对应的微调开关控制,所述微调开关为PMOS管或者NMOS管;

所述待微调控制的振荡电路,还包括:

多个栅压调节电路,每个栅压调节电路与对应的微调开关耦接,所述栅压调节电路适于接收微调控制信号,当所述微调控制信号用于控制所述微调开关断开时,对所述微调控制信号的电压值进行调节以产生输出信号,所述输出信号用于控制所述微调开关;其中,当所述微调开关为PMOS管时,所述栅压调节电路的输出信号的电压值高于所述微调控制信号的电压值;当所述微调开关为NMOS管时,所述栅压调节电路的输出信号的电压值低于所述微调控制信号的电压值。

可选地,当所述微调开关为PMOS管时,所述栅压调节电路包括:第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关、第一电容和第二电容;

所述第一开关的第一端接收基准电压,所述第一开关的第二端与所述第二开关的第一端耦接;所述第一电容的第一端与所述第一开关的第二端耦接;所述第三开关的第一端接地,所述第三开关的第二端与所述第一电容的第二端耦接;所述第四开关的第一端与电源耦接,所述第四开关的第二端与所述第一电容的第二端耦接;所述第五开关的第一端与所述第二开关的第二端耦接,所述第二开关的第二端输出所述输出信号,所述第五开关的第二端接地,其中所述输出信号输出至所述PMOS管的栅极;所述第二电容的第一端与所述第二开关的第二端耦接,所述第二电容的第二端接地。

可选地,所述第一开关与所述第三开关的断开或导通受第一时钟信号控制,所述第二开关与所述第四开关的断开或导通受第二时钟信号控制,所述第五开关的断开或导通受所述微调控制信号控制,其中,所述第一时钟信号和所述第二时钟信号同频反相。

可选地,所述第一时钟信号和所述第二时钟信号基于所述基础振荡电路的输出时钟信号生成。

可选地,当所述微调开关为PMOS管时,所述PMOS管的源极连接电源,所述PMOS管的源极连接所述电流源阵列中对应列的电流源,所述PMOS管的栅极接收所述栅压调节电路产生的输出信号,所述输出信号的电压值高于电源电压的10%。

与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下有益效果:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610664136.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top