[发明专利]一种掩膜电解加工微结构阵列的方法有效
| 申请号： | 201610661385.5 | 申请日： | 2016-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107717148B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 秦歌;周奎;罗晨旭;王冠;程丹佛;赵西梅;李润清;明平美;张新民 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | B23H9/00 | 分类号： | B23H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 454003 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电解加工 微结构阵列 聚合物 掩膜 诱导装置 图形化 制作 基底 成型 金属平板工件 图形化掩膜 涂覆聚合物 诱导聚合物 表面疏水 基底表面 金属裸露 图形转移 掩膜图形 超疏水 电诱导 疏水层 支架 固化 装配 诱导 残留 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于包括下列步骤：
（a）制作掩膜成型的诱导装置，包括:1.在基底（1）上制作支架（2）；2.基底（1）表面疏水处理，制作疏水层（3）；3.涂覆聚合物（4）；4.装配诱导装置；
（b）诱导聚合物（4）图形化；
（c）固化诱导成型的聚合物（4），在金属平板工件（5）上得到固化的图形化聚合物（7）；
（d）电解加工微结构阵列, 在电解槽（10）中，以金属平板工件（5）为被电解加工的阳极、以金属平板工件（5）上图形化聚合物（7）为电解的掩膜，通入电解液（9），接通电源，在金属平板工件（5）上电解加工微结构阵列。
2.根据权利要求1所述的一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于：所述的基底（1）材料为可导电材料。
3.根据权利要求1所述的一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于：所述的支架（2）的材料为绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于：支架（2）形状可为环形或矩形，其厚度范围在20～50微米。
5.根据权利要求1中所述的一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于：所述的在基底（1）上涂覆的聚合物（4）的初始厚度低于支架（2）的高度，尺寸小于等于10微米。
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