[发明专利]二氧化硅均匀分散的超薄型PI膜制备方法在审
| 申请号: | 201610656466.6 | 申请日: | 2016-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN106188589A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
| 发明(设计)人: | 李彦 | 申请(专利权)人: | 苏州柯创电子材料有限公司 |
| 主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K9/04;C08K3/36;C08G73/10 |
| 代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 韩飞 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二氧化硅 均匀 分散 超薄型 pi 制备 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州柯创电子材料有限公司,未经苏州柯创电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610656466.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





