[发明专利]一种制备测序反应小室的方法

说明书

技术领域

本发明涉及基因测序设备制造领域，更具体地说，涉及一种制备测序反应小室的方法。

背景技术

在基因测序领域，测序反应一般通过磁珠在测序反应小室上进行。在测序反应小室设计时，一般采用多片式结构，使试剂从测序反应小室的反应通道中流过，并通过反应通道的一个硅烷化表面固定磁珠，进而完成基因测序反应。而在测序反应小室的制备的过程中，当进行等离子化步骤时，已被硅烷化的表面容易被破坏。

因此，需要一种新的制备测序反应小室的方法，使测序反应小室制备过程中的已被硅烷化表面，在进行等离子化过程中不被破坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测序反应小室制备的方法，旨在解决测序反应小室的制备过程中，在进行等离子化步骤时，测序反应小室的硅烷化表面容易被破坏的问题。

为了更好地实现发明目的，本发明提供一种制备测序反应小室方法包括：

硅烷化步骤，第一基片包括第一表面，第二基片包括朝向第一表面的第二表面，第二表面开设凹槽，将第二基片凹槽底面或第一基片对应的凹槽开口范围的第一表面定义为目标区域，对所述目标区域进行硅烷化，得硅烷化目标区域；

遮掩步骤，用物理方法对硅烷化产物的目标区域进行遮掩；

第一等离子化步骤，对第一基片的第一表面未被遮掩的区域进行等离子化处理，将第一表面改性为亲水改性表面；

第二等离子化步骤，对第二基片的第二表面未被遮掩的区域进行等离子化处理，将第二表面改性为亲水表面；

键合步骤，移除遮掩，并将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合，得测序反应小室。

其中，在所述硅烷化步骤前，还包括等离子化步骤。

进一步的，对所述第一基片的第一表面进行等离子化处理或对第二基片的第二表面进行等离子化处理，改性为亲水表面。

其中，遮掩步骤使用遮掩装置进行遮掩。

进一步的，所述遮掩装置包括压紧装置、压块和工作台。

进一步的，所述压紧装置包括移动块。

进一步的，所述压块设于移动块的下方，所述压块下部为弹性压头。

进一步的，所述工作台位于压块下方，所述工作台上设有基片放置位。

进一步的，所述弹性压头用于遮掩置于基片放置位上的基片的目标区域。

进一步的，所述压紧装置还包括导柱和配重块。

进一步的，所述导柱固设在工作台上；所述移动块滑动套设在导柱上。

进一步的，所述配重块可拆卸地安装在移动块上。

进一步的，所述移动块设有配重块放置位，所述配重块可拆卸安装在配重块放置位上。

进一步的，所述压块可拆卸固定在移动块上。

进一步的，所述压块包括左压块、右压块和夹在左压块和右压块之间的弹性压头；所述左压块固定在移动块下部；所述右压块可拆卸的固定在左压块上。

进一步的，所述弹性压头为橡胶薄膜或封口膜。

进一步的，所述弹性压头压在下基片凹槽内的目标区域形成遮掩区域。

进一步的，所述左压块或右压块包括方条状的承压部和板状的固定部，所述基片放置位包括基片限位台阶。

进一步的，所述键合步骤具体为：通过贴合将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触，进而形成共价结合力紧密连接。

其中，所述第一基片为上基片，第二基片为下基片。

其中，所述第一基片为下基片，第二基片为上基片。

进一步的，所述等离子化处理具体为将处理对象置于混合有氧气和惰性气体的容器后经紫外灯照射，或将处理对象置于混合有氧气和氮气的容器后经紫外灯照射。

进一步的，所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。

进一步的，所述硅烷化具体为将设有目标区域的基片浸泡在硅烷化试剂中进行反应。

进一步的，开设凹槽的第二基片的材质为PDMS。

进一步的，第一基片的材质为玻璃。

进一步的，在所述第二等离子化步骤前还包括清洗步骤，所述清洗步骤采用异丙醇对第一基片或第二基片进行清洗。

由上可知，本发明通过对下基片目标区域硅烷化的遮掩，实现了在等离子化过程中对硅烷化区域的保护，保证了测序反应小室的制备质量。

附图说明

图1为本发明一实施例中的测序反应小室制备方法流程示意图。

图2为本发明一实施例中的遮掩装置的示意图。

图3为本发明一实施例中等离子化下基片示意图。