[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.发光二极管，包括N型覆盖层、Al_aGa_1-aInP多量子阱有源层和P型Al_bIn₁-_bP覆盖层，其中0＜b≤0.5，其特征在于：在所述有源层与P型Al_bIn_1-bP覆盖层之间插入一周期结构，所述周期结构为非超晶格结构，由Al_xIn_1-xP层和Al_yIn_1-yP层交替堆叠而成，其中0.5＜x＜1，0＜y≤0.5，所述Al_xIn_1-xP层的带隙大于所述P型Al_bIn_1-bP覆盖层的带隙，其晶格常数与所述P型Al_bIn_1-bP覆盖层失配，单层厚度满足在弹性范围内无应变释放，但其总厚度确保能够阻挡电子，并减少直接隧穿效应，所述Al_yIn_1-yP层的晶格常数与所述P型Al_bIn1-_bP覆盖层匹配。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述Al_xIn_1-xP层中的Al组分x比所述P型Al_bIn₁-_bP覆盖层中的Al组分b高出20%~60%。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述Al_xIn_1-xP层中的Al组分x为60~80%。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述周期结构具有3-10个周期的Al_xIn_1-xP层和Al_yIn1-_yP层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述周期结构中的Al_xIn_1-xP层的总厚度为100nm~1000nm。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述周期结构中的Al_xIn_1-xP层的单层厚度为50~100nm。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述Al_xIn_1-xP层为局部掺杂，其中邻近所述有源层的部分非故意掺杂。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述Al_xIn_1-xP层邻近所述P型Al_bIn1-_bP覆盖层的部分具有P型掺杂，其浓度为5e17~5e18。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型Al_bIn1-_bP覆盖层中的Al组分b与所述周期结构中的Al_yIn_1-yP层的Al组分y相同。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型Al_bIn1-_bP覆盖层的Al组分b和所述周期结构中的Al_yIn_1-yP层的Al组分y均为50%。