[发明专利]非易失性存储设备及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，包括：

存储单元阵列，其包括耦合至第一字线至第M字线和第一位线至第N位线的多个存储单元，其中M和N是大于2的整数；以及

页缓冲器电路，其包括分别耦合至所述第一位线至第N位线的第一页缓冲器至第N页缓冲器，其中所述第一页缓冲器至第N页缓冲器分别生成第一输出数据至第N输出数据，

其中所述第一页缓冲器至第N页缓冲器的第K页缓冲器包括第一锁存器至第L锁存器，所述第一锁存器至第L锁存器在读电压被施加到所述第一字线至第M字线的第P字线之后，通过在不同的采样定时处对通过第K位线被放电的第K输出线的电压进行采样，来生成读数据，

其中K是小于或等于N的自然数，L是大于1的自然数，P是小于或等于M的自然数，以及

其中所述第K页缓冲器基于所述第一锁存器的读数据中的误差是否可校正，来输出所述第K输出数据。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中当所述第一锁存器的读数据中的误差不可校正时，所述第K页缓冲器将所述第二锁存器至第L锁存器的读数据之一作为所述第K输出数据来输出。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中当所述第一锁存器的读数据中的误差可校正时，所述第K页缓冲器将所述第一锁存器的误差校正后的读数据作为所述第K输出数据来输出。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中所述第K页缓冲器利用预充电电压对所述第K位线进行充电，并利用电源电压对所述第K输出线进行充电，并且然后，在放电间隔中通过所述第K位线对所述第K输出线进行放电，以及

其中所述采样定时位于所述放电间隔内。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储设备，其中当所述第K输出线的电压在所述采样定时之一处大于或等于参考电压时，所述第K页缓冲器确定与第P字线和第K位线连接的第一存储单元是阈值电压大于或等于所述读电压的关断单元；否则，所述第K页缓冲器确定所述第一存储单元是阈值电压小于所述读电压的接通单元。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储设备，其中

在所述采样定时之一处，所述第K页缓冲器确定与第P字线和第K位线连接的第一存储单元是阈值电压大于或等于所述读电压的关断单元还是阈值电压小于所述读电压的接通单元，

所述采样定时在所述放电间隔期间越早出现，则所述第K页缓冲器确定所述第一存储单元是所述关断单元的可能性越大，以及

所述采样定时在所述放电间隔期间越晚出现，则所述第K页缓冲器确定所述第一存储单元是所述接通单元的可能性越大。

7.根据权利要求4所述的非易失性存储设备，还包括：

控制电路，其被配置为响应于命令信号和地址信号，生成行地址信号和列地址信号；以及

地址解码器，其被配置为向所述第一字线至第M字线之一施加至少一个读电压，

其中所述页缓冲器电路响应于所述列地址信号而操作。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储设备，其中当所述存储单元中的每个是单级单元时，所述地址解码器向所述第一字线至第M字线之一施加读电压，并且所述页缓冲电路对第一输出线至第N输出线的电压进行采样。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储设备，其中当所述存储单元中的每个是多级单元或三级单元时，所述地址解码器向所述第一字线至第M字线之一顺序地施加多个读电压，并且所述页缓冲器电路对第一输出线至第N输出线的电压顺序地采样多次。