[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 201610644922.5 | 申请日: | 2016-08-09 |
| 公开(公告)号: | CN107706207B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
| 发明(设计)人: | 颜崇纹;王兆祥 | 申请(专利权)人: | 颜崇纹;王兆祥 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板;
彩色滤光层,位于该基板上;
平坦层,位于该彩色滤光层上;
第一阳极、第二阳极与第三阳极,位于该平坦层上;
像素定义层,位于该平坦层上;
有机发光层,位于该像素定义层上;以及
阴极,位于该有机发光层上;
其中,该第一阳极、该第二阳极与该第三阳极分别包含未被该像素定义层覆盖的第一像素区域、第二像素区域与第三像素区域,且该像素定义层包含位于该第一像素区域与该第二像素区域之间的第一凸起与第二凸起,位于该第二像素区域与该第三像素区域之间的第三凸起与第四凸起;
其中,该阴极包含位于该第一凸起与该第二凸起之间的第一反射部,以及位于该第三凸起与该第四凸起之间的第二反射部,其中,该第一反射部与该基板之间的距离大于该第二反射部与该基板之间的距离。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该第一凸起与该第二凸起形成一鞍状。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该阴极还包含位于该第一像素区域上方的一第一电极部,其中,该第一反射部与该基板之间的该距离大于该第一电极部与该基板之间的距离。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该彩色滤光层包含红色滤光层、绿色滤光层与蓝色滤光层,且该第一像素区域与该第二像素区域分别位于该红色滤光层、绿色滤光层与蓝色滤光层的其中两者的上方。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该第三凸起未重叠于该第四凸起。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该平坦层包含位于该第二像素区域下方的第一平坦部以及位于该第三像素区域下方的第二平坦部,其中,该第一平坦部的厚度小于该第二平坦部的厚度。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中该平坦层的该第二平坦部具有凹槽,该凹槽对应该第三像素区域,其中该凹槽包括:
凹槽底部;及
二倾斜侧壁,分别设于该凹槽底部的两侧,其中该第三阳极设于该凹槽底部及该二倾斜侧壁上。
8.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,该彩色滤光层包含红色滤光层、绿色滤光层与蓝色滤光层,且该红色滤光层、绿色滤光层与蓝色滤光层的其中的一位于该第一平坦部的下方。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该第二反射部包含有邻近该第二像素区域的一第一反射端以及邻近该第三像素区域的一第二反射端,其中,该第一反射端与该基板之间的距离大于该第二反射端与该基板之间的距离。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,该第三阳极包含有第一峰部、第二峰部,以及位于该第一峰部与该第二峰部之间的一鞍部。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中,该第一峰部与该第二峰部的其中之一与该基板之间的距离大于该鞍部与该基板之间的距离。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中该第二阳极设于该第一阳极与该第三阳极之间。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括:
第四阳极,位于该平坦层上,
其中该第三阳极设于该第二阳极与该第四阳极之间,
其中该第四阳极包含未被该像素定义层覆盖的一第四像素区域。
14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器,其中该像素定义层包含位于该第三像素区域与该第四像素区域之间的第五凸起与第六凸起,且该第五凸起未重叠于该第六凸起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





